让世界爱上中国芯！敏芯半导体提供全系列优质光芯片

  ICC讯 2021年9月1-3日，在第23届中国国际光电博览会上武汉敏芯半导体股份有限公司将展出1310nm高功率低偏振消光比超辐射发光二极管、1310nm半导体光放大器、1310nm大功率DFB激光器、10G 1550/1577nm EML、25G LWDM4/CWDM4 DFB等光通信芯片及材料。

  诚挚邀请您莅临12号馆展位12C33参观、交流及业务洽谈。

  产品推荐

  1310nm高功率低偏振消光比超辐射发光二极管

  产品介绍：

  0031-L3-C02是一款中心波长1310nm，BH掩埋，InGaAsP多量子阱的半导体超辐射发光二极管芯片，具有高功率、低偏振消光比、低ripple、高可靠性等特点。

  关键特性：

  1. 高芯片功率;2. 谱宽：≥40nm;3. 偏振消光比：<1dB;4. Ripple：<0.2dB

  应用领域：

  光通信、信息处理/存储

  1310nm半导体光放大器

  产品介绍：

  1310nm SOA芯片采用InGaAsP/InP多量子阱结构设计和BH工艺方案，是一款高增益、高饱和输出功率、低NF和低偏振相关特性的半导体光放大器芯片，可作为前置放大应用于数据中心与WDM网络中。

  关键特性：

  1. 增益(Gain)：≥16dB;2. 偏振相关增益(PDG)：≤1.5dB;3. 饱和输出光功率(Saturation Power)：~7dBm;4. 噪声指数(Noise Figure)：~7dB;5. 增益纹波(Gain Ripple)：≤0.2dB

  应用领域：

  光通信、信息处理/存储

  1310nm大功率DFB激光器

  产品介绍：

  D0031-C0-0A0-70是基于InGaAsP/InP材料体系设计的1310nm高功率半导体激光器芯片，可用于目前的100G至400G硅光子集成芯片中。芯片可以在非制冷和非气密环境下工作，具有高功率，高边模抑制比和高可靠性等特点。

  关键特性：

  1. 低阈值电流;2. 高输出功率;3. 可靠性符合Telcordia GR-468;4. RoHS Compliant

  应用领域：

  光通信、信息处理/存储

  10G 1550/1577nm EML

  产品介绍：

  10G 1550/1577nm EML系列为单模边发射EML激光器，采用InGaAsP/InP多量子阱结构设计和BH工艺，芯片正表面提供9位编码用于追溯，且所有出货芯片均经过100%常温及高温测试。

  关键特性：

  1.低阈值、高带宽;2.BH多量子阱结构;3.高消光比;4. 低偏压工作;5. 可靠性符合Telcordia GR-468;6. RoHS Compliant

  应用领域：

  器件/模块、 光通信、信息处理/存储

  25G LWDM4/CWDM4 DFB

  产品介绍：

  25G LWDM/CWDM4 系列为25Gbps单模边发射DFB激光器，分别应用于100Gbps LR4/CWDM4传输系统。该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计，脊波导工艺，芯片正表面提供9位编码用于追溯，且所有出货芯片均经过100%常温及高温测试。25G LWDM4支持波长1295.56nm, 1300.05nm, 1304.58nm, 1309.14nm共4个波长通道。25G CWDM4支持波长1271nm, 1291nm, 1311nm, 1331nm共4个波长通道。

  武汉敏芯半导体股份有限公司成立于中国光谷,是一家从事半导体光芯片研发、制造和销售的国家高新技术企业。产品涉及光通信和激光传感领域。作为光通信领域国内首家独立的全系列光芯片供应商,公司可提供2.5G/10G/25G/50G全系列激光器和探测器光芯片及封装类产品。公司以“做好每一颗光芯片，让世界爱上中国芯”为使命,为全球光器件和光模块厂商提供优质全系列光通信用光芯片产品及技术服务。公司先后获得多项荣誉,包括湖北省2021年度上市后备“科创板种子”企业、2020年湖北省双创战略团队、第一届毕马威中国“芯科技”新锐企业50、国家级专精特新“小巨人”、2021中国潜在“独角兽”等。