智立方毛建：CW与硅光芯片、器件及模块智能制造关键技术，破局1.6T量产

  ICC讯 2026年9月7日，第24届光通信大会在深圳隆重召开。智立方半导体事业中心总经理毛建在大会上发表了题为《CW&硅光芯片、器件及模块智能制造关键技术》的主题演讲，系统阐述了在AI算力爆发背景下，光通信产业链面临的机遇与挑战，以及智能制造在破解行业瓶颈中的关键作用。

  毛总指出，AIGC的爆发式增长正推动光模块持续迭代，未来800G和1.6T等高速光模块有望逐步占据市场主导地位。据Lightcounting预测，2026年1.6T光模块出货预期已从1000万只上修至2000万只，800G光模块约6000万只；到2027年，两者合计出货量预计达1.6亿只。中商产业研究院预测，2026年全球光芯片市场规模将达到至少42亿美元，其中亚太地区占全球56.13%的市场份额。

  然而，市场需求井喷与供给能力之间存在显著落差。毛总在演讲中强调，行业专家预测未来两年光芯片产量将严重不足，整体缺口达25%至30%，其中用于1.6T的EML芯片缺口超60%。瓶颈根源在于上游磷化铟材料制造工艺相对落后，长期停留在2至3英寸小尺寸晶圆阶段，而硅晶圆已发展至12英寸。受此影响，供应商近期已对100G EML涨价15%，对200G EML涨价近30%。面对这一局面，Coherent、Lumentum及诺基亚等国际巨头正加速布局6英寸磷化铟产线，英伟达更通过数十亿美元采购承诺深度锁定产能。结合此前参加台北SEMICON展会信息显示，台湾产业链正大量改造原LED红光产线进入磷化铟CW芯片领域，预计未来2至3年产能将大幅上升。

  在技术路线选择上，毛总分析认为，因EML芯片供给不足，CW+硅光方案已成为主流。硅光方案对比EML方案具备成本更低、尺寸更小、功耗更低等优势，800G场景下成本优势至少达20%，国内产业链已基本解决CW光源和硅光芯片供应问题。CPO作为确定性发展趋势，其落地仍需突破先进封装技术和光引擎测试技术两大瓶颈，同时设备精度要求将从微米级向亚微米、纳米级升级。

  面对上述产业变局，毛总重点介绍了智立方覆盖光芯片、器件及模块全制程的智能制造解决方案,以及行业领先的技术能力与规模化交付能力。在芯片后道环节，智立方全自动排Bar与拆Bar设备已实现国产化替代，一次拆Bar成功率达98%以上，累计出货超100台，国内市场份额达95%。光芯片四面检测AOI设备结合深度学习算法优化检测效果，最高精度达0.5微米，结合深度学习算法优化检测效果。针对硅光芯片，智立方可提供从AOI检测、分选到自动包装的全流程解决方案，已服务7至8家行业头部客户。在光模块环节，自动化组装线与包装线对比人工方案效率提升6倍，不良率可控制在0.1%以内，单线可节省约37名操作人员。

  最后毛总表示，随着800G、1.6T乃至CPO封装加速落地，磷化铟需求将提升3至4倍以上，光模块制造环节的智能化、无人化升级是行业刚需。智立方将持续深耕光通信智能制造领域，助力产业链实现大规模量产时代的降本增效与自主可控。