MicroLED 2026：AI数据中心光I/O成新增长点

  ICC讯 Yole预测MicroLED市场到2031年将达到35亿美元，分为两类。第一类是硅基MicroLED，到2031年将贡献大部分收入，达32亿美元，分布在AR产品的稳步增长和光互连MicroLED方案的出现之间。第二类是TFT基MicroLED（电视、智能手表、汽车和透明显示），预计扩展较慢。2025-2031年期间，第一类年复合增长率预计为120%，后者约为75%。

  对于硅基MicroLED应用，其部署取决于全球AR方案的大规模采用以及为MicroLED光互连找到合适的架构。在TFT方面，随着高端智能手表和电视领域MicroLED产品的推出，相关工作正在进行中。

  从面板级到晶圆级

  MicroLED生态系统可概括为一个极：中国、台湾和韩国。这些地区都拥有国家级面板制造商（京东方、友达、三星）和国家级LED供应商，中国大陆有三安，台湾有PlayNitride。这种围绕面板制造商的组织结构源自MicroLED主要被视为大尺寸显示器下一代方案的时代。随着MicroLED在AR中的采用以及越来越多参与者对MicroLED光I/O表现出兴趣，其重心正在转移。

  欧洲仍有一些产能，Aledia或ams OSRAM在出货芯片。美国凭借主要OEM厂商，预计将在其新AR眼镜型号中使用大部分LED，Meta、Google和可能包括Apple的首批商业化将在2027-2028年。

  MicroLED技术路线图：芯片缩小、堆叠良率与耦合

  在TFT平台上，面板能效仍然制约下一代手表的迭代。高压LED是杠杆，将高压工作与15x30微米以下芯片配对的供应商处于领先。在高压芯片之上将背板从LTPS升级到LTPO，可将功耗降低30%以上。成本仍主导采用：良率提升加芯片缩小，8x15微米是到2029年实现5000美元以下85英寸4K电视面板的路径。

  在AR中，单片RGB是目标，但2026年堆叠像素结构的良率仅为几个百分点，而颜色转换仍缺乏亮度。三面板RGB引擎在未来两年仍将占主导。标准正在形成：0.1英寸单色2.5微米间距，0.2英寸原生RGB约4微米，这将视场角限制在30°附近。

  AI数据中心光I/O已吸引大量发射器演示，但完整链路很少。性能纪录为400 A/cm²下3 GHz。LED到光纤耦合是瓶颈，短距离波导正在研究中。关键门槛将是光子学封装和超大规模企业的认可。

  来源：Yole Group