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IQE与Tower签署多年InP外延片供应协议

摘要:IQE与Tower Semiconductor宣布达成多年期InP外延片供应协议,支持AI数据中心光互联技术发展。协议包含首年最低采购承诺及后续最低数量承诺。双方同时解决了所有先前关于多孔硅专利的知识产权纠纷,Tower将向IQE提供全球免版税许可。

  ICC讯  2026年6月15日,全球领先的化合物半导体晶圆产品及先进材料解决方案供应商IQE plc(AIM: IQE,以下简称“IQE”或“集团”),与高价值模拟半导体解决方案的领先代工厂Tower Semiconductor(纳斯达克/特拉维夫证交所代码:TSEM)今日共同宣布,双方已签署一项多年期协议,由IQE为服务于AI驱动数据中心基础设施的光连接解决方案供应磷化铟(InP)外延片。

  协议内容与技术合作

  IQE的InP外延片将被用于Tower多个先进硅光子平台,以支持下一代光学技术,为Tower的产品路线图提供高质量的供应基础。IQE与Tower的合作涵盖用于可插拔收发器的200Gbps/通道(200Gbs/lane)量产技术,以及下一代400Gb/通道(400Gb/lane)调制器的原型开发,还包括数据中心中部署的光电路交换机等其他关键应用。该协议规定了Tower在首年的最低采购承诺、IQE的相应供应承诺,以及之后年份的最低数量承诺。

  知识产权纠纷解决

  根据另一项独立协议,Tower还将向IQE提供一项全球范围内的、免版税的多孔硅专利许可。这些专利此前是两家公司之间知识产权纠纷的争议标的,该协议解决了所有相关诉讼。

  双方高管表态

  IQE首席执行官Jutta Meier表示:“我很高兴能与已经是硅光子领域领导者的Tower携手前进。这项协议巩固了IQE在全球一级超大规模云服务商和AI基础设施市场中的地位。凭借数十年的InP外延技术专长和成熟的大规模生产能力,IQE已准备好支持下一代光连接应用从创新到商业部署的规模化进程。”

  Tower Semiconductor总裁Marco Racanelli博士表示:“我们很高兴与IQE合作,使其成为我们下一代光子技术的关键供应商。该技术将InP高性能组件添加到我们高量产、成熟的硅光子平台中。这一结合将能够提供同时满足性能和高产量要求的产品,以支撑未来AI基础设施容量的扩展。”

  关于Tower Semiconductor

  Tower Semiconductor Ltd.(纳斯达克/特拉维夫证交所代码:TSEM)是高价值模拟半导体解决方案的领先代工厂,为消费、工业、汽车、移动、基础设施、医疗、航空航天和国防等成长型市场的客户提供技术、开发和工艺平台。Tower Semiconductor专注于通过长期合作伙伴关系以及先进创新的模拟技术解决方案,为世界创造积极和可持续的影响。其技术方案包括广泛的可定制工艺平台,如SiPho(硅光子)、SiGe(锗硅)、BiCMOS(双极互补金属氧化物半导体)、混合信号/CMOS、射频CMOS、CMOS图像传感器、非成像传感器、显示器、集成电源管理(BCD和700V)以及MEMS(微机电系统)。Tower Semiconductor还提供世界级的设计支持,以实现快速准确的设计周期,以及为IDM(集成器件制造商)和无晶圆厂公司提供工艺转移服务,包括开发、转移和优化。为了为客户提供多晶圆厂采购和扩展产能,Tower Semiconductor目前拥有位于以色列的一座200mm运营工厂、位于美国的两座200mm工厂、以及位于日本的两座工厂(200mm和300mm,通过其持有的TPSCo 51%股份拥有),并与意法半导体共享位于意大利阿格拉特的一座300mm工厂。更多信息请访问:www.towersemi.com。

  关于IQE

  IQE是全球领先的先进化合物半导体晶圆及材料解决方案供应商,其产品支持广泛的应用领域,包括:智能连接设备、通信基础设施、汽车与工业、航空航天与安全。作为一家规模化运营的全球外延晶圆制造商,IQE在这个进入门槛极高的市场中拥有独特的地位。IQE服务于全球市场,使客户能够在芯片和OEM层面进行创新。通过利用集团的知识产权组合(包括专有技术和专利),IQE生产的外延晶圆在质量、良率和单位经济性方面均具有优势。IQE总部位于英国卡迪夫,在英国、美国和台湾地区设有生产基地,并在伦敦AIM股票市场上市。更多信息请访问:http://iqep.com。

  原文:https://ir.towersemi.com/news-releases/news-release-details/iqe-and-tower-semiconductor-announce-multi-year-inp-epiwafer

内容来自:讯石光通讯网
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