飞瓴光电2026武汉光博会发布深紫外光纤与外沉积深掺氟管棒技术

  ICC讯 2026年5月18日至20日，第二十一届“中国光谷”国际光电子博览会（简称“光博会”）在武汉·光谷科技会展中心盛大举行。省委书记、省人大常委会主任王忠林，工业和信息化部党组成员、副部长谢远生，联合国教科文组织“国际光日”指导委员会主席约瑟夫·尼梅拉等出席开幕式并致辞。本届光博会以“光联万物、智引未来”为主题，展示面积超3万平方米，汇聚400余家海内外展商，吸引专业观众超3万人，举办22场高端会议，旨在为光电产业提供一站式技术交流与商贸对接平台。

  武汉市飞瓴光电科技有限公司（以下简称“飞瓴光电”）携两项核心技术创新成果亮相B1馆B142展位。展会期间，公司重点展示了在特种光纤关键原材料与制备技术领域的突破性进展—深紫外光纤技术与外沉积深掺氟管棒技术，全面呈现了从材料设计、掺杂工艺到装备集成的全产业链自主可控能力，引发行业广泛关注。

  重磅发布一：深紫外光纤技术——破解极端环境下的光致暗化难题

  深紫外波段一直是光纤应用中最具挑战性的领域之一。传统石英光纤在该波段易产生“色心效应”，即高能光子诱发材料内部的缺陷能级，进而引发严重的光致暗化，导致传输性能急剧下降。这一技术痛点长期制约着高端应用场景下的光传输需求。

  飞瓴光电通过芯层与包层掺氟浓度的精准组合，从根源上优化石英结构，有效抑制色心形成，成功制备出传输波长覆盖280nm–2400nm的特种光纤。测试表明，该产品在280-300nm波长下损耗与国外同类型产品指标相当，并且在280nm的深紫外光下连续老化168h后，损耗下降小于3%。该产品可满足核电仪控、半导体检测、航空航天等极端场景对光能量传输的高可靠、长寿命需求。

  这项技术的突破，意味着在深紫外光纤领域拥有了核心材料自主保障能力，为规模化生产与技术创新奠定坚实基础。

  重磅发布二：外沉积深掺氟管棒技术——非金属元素掺杂领域的系统性创新

  在破解深紫外波段“色心效应”难题的同时，飞瓴光电于另一条技术路线上也取得了国际首创性突破—外沉积深掺氟管棒技术。该技术代表了公司在非金属元素掺杂领域的系统性创新，核心在于构建了“核心装备—材料制备—极端环境耐受光纤”全链条自主技术体系，全面攻克了极端环境用非金属元素高掺杂光纤制备的国际难题，核心指标达到国际领先水平。

  公司基于自主研发的30kW高功率常压微波等离子体技术体系，在国际上首创常压微波等离子体预制棒外沉积工艺，成功突破了传统制备工艺的热力学平衡限制，经中国工程院范滇元院士成果鉴定评价：创新制备了深掺氟石英光学材料及深掺氟复合套管。提出了高浓度高能微波等离子体淬灭技术，成功实现了掺杂浓度高达10.75at.%的深掺氟石英光学材料。

  目前，相关技术获多项发明专利授权，并建成国内首条年产1000 kg的常压微波等离子体掺氟石英光纤预制棒生产制造产线。产品已广泛应用于极端环境、工业激光、生物医疗、通信设备、能源交通等领域。

  展会现场：专家高度评价，多家企业达成合作意向

  展会期间，飞瓴光电展台接待专业观众客户和同行交流了相关产品和技术，涵盖了核电、激光等领域企业与科研院所，多位行业专家亲临展位指导，对两项成果做深入了解，并且给予高度评价。现场，飞瓴光电也与部分企业达成初步合作意向，为后续产业化落地与市场拓展奠定了良好基础。

  未来展望：深化协同创新，共谱光电产业新篇章

  飞瓴光电将以本届光博会为新契机，紧抓“十五五”规划开局之年的关键机遇，立足光电子信息产业从规模领先迈向技术引领的发展大势。公司将持续聚焦非金属元素石英掺杂技术，依托常压微波等离子体平台，不断拓展从深紫外至中红外的特种光纤产品谱系，同时进一步加强与产业链上下游、科研院所及高校的交流合作，深化产学研用协同创新，加速推进特种光纤关键新材料的国产化替代进程。飞瓴光电愿尽己所能，与行业共同书写光电子信息产业高质量发展的新篇章，为推动“中国光谷”加速迈向“世界光谷”发展贡献力量。