OpenLight推出3.2T DR8硅光子PIC及1.6T DR8 LRO和LPO变体

  ICC讯  全球领先的定制PASIC芯片设计与制造商OpenLight于3月10日宣布，其首款基于异构集成硅光子技术的3.2T DR8光子集成电路（PIC）已开始提供样品。该PIC采用Tower Semiconductor的PH18DA工艺制造，集成了OpenLight的1310 nm分布式反馈（DFB）激光器和高性能基于InP的448G电吸收调制器（EAM），提供了高度集成、低功耗的解决方案。

  这一里程碑的实现基于OpenLight与Tower Semiconductor在其工艺设计套件（PDK）平台上超过一年的专注设计与工艺优化合作。由此，OpenLight显著提升了其448G EAM技术，展示了接近100GHz的差分3dB带宽以及在2.0伏差分电压下大于3.5dB的消光比（ER）。这些成果在维持功耗效率和可制造性的同时，确保了太比特数据速率下的稳健性能。这种高度集成的PIC解决方案不仅非常适合模块和收发器应用，也适用于新兴的共封装光学（CPO）和近封装光学（NPO）应用，在这些应用中，功耗效率、热性能和封装简易性至关重要。

  OpenLight的3.2T DR8 PIC凭借其高带宽、低驱动性能的448G EAM技术，消除了对外部耦合连续波（CW）激光源的需求，并显著简化了封装要求。通过在有源元件与硅波导之间实现约90%的耦合效率，以及InP EAM仅2V的低驱动摆幅，OpenLight实现了一种极低功耗的解决方案。在3.2T满负荷运行时，该PIC在80°C下的功耗低于2W，相当于约0.63 pJ/bit，与前几代设计相比，热效率有了显著提升。

  在此基础之上，OpenLight推出的3.2T DR8 PIC与其1.6T DR8 PIC采用相同的平台架构扩展而来，实现了一种跨数据速率世代的一致且可扩展的设计方法，使客户能够利用通用平台实现从1.6T到3.2T部署的无缝快速扩展。正如近期宣布的，PH18DA平台上的所有有源元件，包括3.2T DR8 PIC中使用的那些，均已独立通过Telcordia GR-468标准认证，为在高可靠性数据中心环境中的部署提供了额外保障。

  Tower Semiconductor射频业务部副总裁兼总经理Dr. Ed Preisler表示：“我们非常高兴通过OpenLight的紧密合作，为客户提供3.2T解决方案。展望未来，我们看到了通过在我们的硅光子平台内集成激光器、EAM和其他InP元件，PH18DA技术在扩大我们可服务市场方面的巨大潜力。”

  OpenLight首席执行官Dr. Adam Carter表示：“采用448G EAM的3.2T DR8 PIC在功耗效率、成本和上市时间方面带来了显著优势。我们448G EAM的卓越性能为客户提供了一条简单直接的可扩展路径，使其能够以每通道400G从1.6T过渡到3.2T，并且不仅适用于DR8和FR4收发器模块应用，也适用于新兴的共封装光学（CPO）和近封装光学（NPO）应用。”

  这些平台改进也推动了OpenLight 1.6T DR8 PIC的持续进展，采用224G EAM器件的产品现正处于测试样品阶段，并提供LRO和LPO两种变体。OpenLight已收到来自主要光模块制造商的订单，以支持模块构建和认证项目，反映出随着设计走向生产，客户的采用率正在增长。

  3.2T DR8 PIC的平台初始样品现已推出，裸芯片可立即提供，集成倒装焊448G调制器和驱动器的评估板预计于2026年3月底推出。用于模块和收发器认证的3.2T DR8 PIC测试样品预计将于2026年第四季度提供。

  OpenLight将参加于2026年3月15日至19日在加利福尼亚州洛杉矶会议中心举行的OFC 2026。如需了解更多关于OpenLight可量产光子平台和PH18DA工艺的信息，请访问#2449展位或www.openlightphotonics.com。欲了解Tower Semiconductor硅光子平台的更多信息，请访问#2221展位。

  原文：https://openlightphotonics.com/newsroom/openlight-introduces-3-2t-dr8-silicon-photonics-pics-as-well-as-1-6t-dr8-lro-and-lpo-variants