ICC讯 铌奥光电即将参加 OFC 2026(3月17-19日,洛杉矶会展中心)。本次展会,我们将聚焦最新的薄膜铌酸锂(TFLN)芯片与器件:400G/lane PAM4 (1.6T DR4)、200G/lane PAM4 (1.6T DR8/800G DR4) 芯片,128/256 GBaud PDM-IQ 芯片,超高带宽(>130 GHz)芯片,40 G/70 G IQ 调制器、40 G 相位调制器、40 G/67 G/110 G 强度调制器、光频梳器件等。展位号:#4862,我们的专家团队将在现场为您提供专业咨询与技术对接服务。无论您是寻求技术支持,还是探讨战略合作,我们都期待与您面对面交流。