CEA-Leti与NcodiN合作推动300毫米硅光子技术产业化

  ICC讯  欧洲领先的微电子研究机构CEA-Leti（法国原子能委员会电子与信息技术实验室）与专注于纳米激光光子互连的深科技初创企业NcodiN，将于3月11日宣布一项战略合作，旨在将NcodiN的光学中介层技术在300毫米集成光子工艺上实现产业化。

  NcodiN去年11月获得了1600万欧元种子融资，该公司正在研发光子互连技术，旨在缓解限制下一代半导体性能的关键数据传输瓶颈。此次合作将加快该公司的概念验证工作，使其进入工业级300毫米工艺——超越铜互连技术，为未来计算架构和人工智能（AI）芯片打造可扩展、封装内、长距离光子链路迈出重要一步。随着AI系统对带宽和能效的需求呈数量级增长，行业正从铜互连转向光子互连。

  NcodiN正在打造NConnect集成光子互连平台，该平台由全球最小的硅基激光器提供支持——比当今行业标准器件小500倍。该公司的纳米激光光子中介层为超高密度集成（每平方毫米超过5000个纳米激光器）和极低能耗运行（约0.1皮焦/比特）铺平了道路。依托CEA-Leti先进的光子集成专业技术，NcodiN正将其纳米激光器过渡到300毫米硅光子平台，这是为高端计算和AI应用打造可扩展、晶圆级光子互连的基础性一步。

  NcodiN联合创始人兼首席执行官Francesco Manegatti表示：“NcodiN的纳米激光光子互连技术克服了长期存在的瓶颈，即体积庞大、效率低下的光子组件阻碍了大规模应用。我们与CEA-Leti的合作旨在证明NConnect与300毫米晶圆的兼容性，这对于商业化规模生产以及在AI专用处理器和高带宽计算系统中经济高效地应用至关重要。”

  CEA-Leti首席执行官Sébastien Dauvé表示，此次合作凸显了双方共同的承诺，即打造能够满足未来计算需求的可扩展光子基础设施。“将光子技术过渡到300毫米互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容工艺，是光子互连领域的一个转折点，使其最终能够以AI行业所需的规模、成本和可靠性进行生产，”他说，“与NcodiN的此次合作凸显了CEA-Leti使命的一个关键部分：将先进的半导体和微电子技术转移到工业领域，服务于一系列重要市场。”

图片说明：通过直接键合和高精度对准技术，将三五族半导体芯片键合到300毫米晶圆上。

  原文：CEA-Leti, NcodiN Partner to Industrialize 300 mm Silicon Photonics for Bandwidth-Hungry AI Interconnects | OFC | https://www.ofcconference.org/news-media/exhibitor-news/cea-leti-ncodin-partner-to-industrialize-300-mm-silicon-photonics-for-bandwidth-hungry-ai-intercon/