AOI推出400mW超高功率激光器 为硅光与CPO提供可靠高性能光源

  ICC讯 互联网先进光学及HFC网络产品领先供应商AOI(NASDAQ: AAOI)宣布推出一款新型400mW窄线宽泵浦激光器，旨在满足AI数据中心对硅光子（SiPh）技术及共封装光学（CPO）日益增长的需求。

  新型400mW激光器历时数年开发，面向因激光器线宽过宽或噪声系数过高而遭遇性能限制的场景。新型激光器可直接集成在半导体芯片级系统中，为超大规模数据中心运营商提供稳定可靠的高性能光源，适用于共封装光学（CPO）、硅光子学（SiPh）及其他需要单一稳定波长兼具精度与功率的应用。400mW激光器芯片可作为高效的外部光源，为多通道提供必要的泵浦功率。

  主要优势包括：

  · 满足800G/1.6T功耗预算：提供足够的光功率以克服耦合、分路和路由损耗，同时不会超出AI交换芯片附近的热限值。

  · 支持共享与外部激光器架构：能够从单一集中式光源可靠地为多个硅光子通道或波长供光。

  · 稳定硅光子器件：最大限度地减少环形调制器、微环激光器和片上非线性元件中的波长漂移和噪声。

  · 提高系统良率与运行时间：减少校准工作、简化波长锁定，并在系统扩展时保持通道间性能的一致性。

  关键性能规格：

  · 基于AOI成熟可靠的隐埋异质结构激光器平台的DFB激光器

  · 在50°C温度下光功率超过400mW

  · 窄线宽

  AOI高级副总裁兼北美区总经理Fred Chang表示：“复杂的架构需要高性能光源。过去几年，我们一直致力于研发产品规格，以生产出能够满足当前光网络需求、特别是支持未来CPO架构的超高功率激光器。凭借这项新技术，我们正在提升激光器功率、相干性和稳定性的标准，为客户提供理想的解决方案，以释放可扩展的光学I/O能力、简化系统设计，并加速行业向800G及以上速率的共封装光学过渡。”

  目前该产品已向部分客户提供样品，预计将于2026年下半年开始批量生产。