ICC讯 随着全球芯片制程技术持续进化,南韩科技巨头三星电子(Samsung Electronics) 宣布,已经开始量产使用极紫外光(EUV) 光刻技术制造的第三代10 纳米级LPDDR5 DRAM 芯片,领先于业界,未来DRAM 制程也将有望朝向个位数纳米制程前进。
三星电子宣布,该公司位于南韩平泽市的第二条半导体生产线,已经开始量产领先于全球的第三代10 纳米级LPDDR5 DRAM 芯片,达到业界内最大的容量和最快的速度。
三星电子最新的10 纳米级LPDDR5 DRAM 芯片,传输运行速度高达6400Mb/s,较目前市场上旗舰版智慧型手机的12 GB LPDDR5 DRAM 芯片快上16%。该公司也指出,配备16 GB 记忆体的智慧型手机将可以每秒传送51.2 GB 的数据,相当于10 部高画质电影。
此外,最新的10 纳米级LPDDR5 DRAM 芯片也比先前的产品薄30%,将有助于为配备多项零组件的产品,如高阶相机手机或5G 手机,以及有厚度考量的产品,如可折叠式手机,提供最佳解决方案。
报导指出,在今年2 月份,三星电子便已经开始使用第二代10 纳米级工艺制程技术量产16GB LPDDR5 DRAM。在短短六个月内,该公司更进一步加强了高阶行动DRAM 产品组合,包括导入新一代芯片制程技术。
在DRAM 领域中,南韩SK 海力士排名全球第二,市占率仅次于三星电子。如今,SK 海力士也正积极研发将EUV 技术应用于第四代10 纳米级产品,并计画于2021 年实现量产,与三星电子相比,SK 海力士大约落后了六个月到一年的时间。