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CIOE 2019|SiFotonics成功参展第21届中国国际光电博览会

摘要:国际硅基光子集成芯片器件技术领先企业SiFotonics Technologies(希烽光电)成功参展上周在深圳会展中心举办的第21届中国国际光电博览会(CIOE)。SiFotonics在本次展会上向海内外客户展示了5G及数据中心端到端硅光芯片及组件系列解决方案。

  ICCSZ讯 国际硅基光子集成芯片器件技术领先企业SiFotonics Technologies(希烽光电)成功参展上周在深圳会展中心举办的第21届中国国际光电博览会(CIOE)。SiFotonics在本次展会上向海内外客户展示了5G及数据中心端到端硅光芯片及组件系列解决方案。

  针对5G无线光网络应用,SiFotonics推出全系列25G/50G PAM4 Ge/Si PIN PD 和APD系列产品(芯片、组件)。其中25G PD被釆用于5G前传, 已经通过了国内外主流模块供应商及重要设备客户的认证,实现大规模批量供货。SiFotonics 25G APD 被应用于5G前传中链路预算要求高的应用场景,并率先在韩国5G前传应用中得到规模商用。在CIOE展会期间,中国移动提出的12波 25G MWDM前传方案中预计后4波将用到APD 来解决链路预算,SiFotonics APD方案已经完全准备好迎接这个创新应用。5G中回传50G PAM4应用,SiFotonics PIN和APD芯片及光器件产品也已准备就绪。100G应用方面,SiFotonics 4x25G APD ROSA接收组件可支持30km+传输距离。同时4X50G PAM4 APD 接收组件也在产品开发的路标上。

  在城域光网络应用方面,100G-400G 相干传输技术将成为主流。SiFotonics推出32G/64Gbaud 相干接收集成芯片(ICR)已被主流模块厂商客户认证,即将进入批量生产。32/64GBaud 收发全集成芯片(ICTR)也开始给客户送样

  在数据中心应用方面,SiFotonics 已经规模出货4X25G Ge/Si PD 阵列,单波100G PAM4 以及4x100G的Ge/Si PIN PD通过客户的初步测试认证,开始小批量出货。新产品方面,SiFotonics 聚焦4x100G PAM4的硅光集成芯片应用于400G DR4, FR4 解决方案。最新一版4x100G DR4芯片初步测试结果显示主要参数如带宽和插损已经可以满足模块产品的标准技术要求,将很快给客户提供样品测试。SiFotonics 4x100G 技术平台可平滑扩展支持8x100G, 甚至32x100G, 以支持超大型数据中心未来数年光联接方案需求路标。

  在CIOE展会期间,SiFotonics COO 于让尘博士在第三届硅光峰会上做了题为”硅基光电子应用前景”的专题报告,与业内专家交流探讨硅光技术发展历史及未来在通讯,传感器,人工智能等领域的应用前景。

  关于SiFotonics(希烽光电)

  SiFotonics Technologies(希烽光电)是一家通过先进的硅光器件及集成电路成为超高速数据中心和5G无线光网络市场先进解决方案供应商。SiFotonics成立于2006年,在北京/上海和南京分别设有硅基光电子技术研发中心和生产基地。公司网址:www.sifotonics.com。

内容来自:讯石光通讯咨询网
本文地址:http://www.iccsz.com//Site/CN/News/2019/09/11/20190911055345374428.htm 转载请保留文章出处
关键字: SiFotonics 硅光
文章标题:CIOE 2019|SiFotonics成功参展第21届中国国际光电博览会
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