SiFotonics推出低功耗高增益的25G TIA芯片

  ICC讯 硅光技术国际领先企业之一的SiFotonics近期宣布，成功推出针对自有Ge/Si PD和APD分别设计的两款25G TIA芯片。该TIA芯片具有低功耗，高增益，高温特性好的优点，搭配SiFotonics自有的PD或APD 测试的ROSA性能均能满足相关行业指标要求。针对APD应用设计的TIA内部集成了特殊的高压偏置电路，有利于进一步提高ROSA性能，降低封装成本。这两款TIA芯片将可以广泛用于5G 前传，数据中心和未来的25G-PON等市场。

  SiFotonics研发副总Emily介绍说：“我们此次两款TIA，分别针对SiFotonics的PD和APD优化设计, 以常温大约90mW低功耗，实现高达9K典型值小信号增益;通过适当的高温补偿，确保较低的高温劣化;提供不同的封装方式，来适应不同打线和PD/APD的电容等带来的带宽变化。 我们相信这两款芯片会提供客户更多的TIA选择来搭配目前公司大量出货的Ge/Si 探测器”。

  SiFotonics首席执行官CEO和创始人潘栋博士评论：“随着硅光芯片的大量应用， 针对硅光芯片自身特性的电芯片的Co design 变得越来越重要，这次是提高总体性能的重要一步， 一方面针对硅光芯片的特殊性设计，一方面进一步降低功耗和相应的组件数量， 我们正在把这些设计经验应用到更高速率的IC设计上，来搭配我们下一代400G集成硅光芯片，从而给客户提供更好的选择来适应不同的应用场景”。

  SiFotonics Technologies是一家通过先进的硅光芯片、器件及集成电路为超高速数据中心和5G无线光网络市场提供解决方案的供应商。SiFotonics成立于2007年，在南京、北京和上海设有技术研发中心和生产基地, 同时在Boston/San Jose/香港设有办公室。 公司网址：www.sifotonics.com