中科院祝宁华：光电子未来发展有四大趋势

　　ICCSZ讯 11月29日，在2013光纤通信发展报告会上，中科院半导体研发所副主任祝宁华发表了题为《支撑光网络发展的光电子器件研究现状与趋势》的报告，指出了光电子未来发展的四个趋势：一是光电子集成，二是微电子与光电子的相互融合，三是硅基光电集成技术，四是多维调制与复用。重点强调未来光电子的发展趋势会从单元器件向集成化芯片发展，其中40Gb/s将成为光接入的核心，另外也提出TWDM—PON将是未来发展的主流技术，而高速激光器的研发也将成为焦点。

　　高速光电子器件是实现高速光信息产生、传输、放大、探测、处理等功能的器件。光通信系统可分为骨干网、城域网和接入网三个层次。高速光电子器件在光通信系统的各个层次都有重要应用：高速光传输、大容量光交换、宽带光接入和微波光子技术。为了实现更高速、更宽带光通信传输系统，高速光电子器件呈现出三大发展趋势：光电子集成，光电子与微电子的融合以及多维调制与复用。

　　高速光电子器件在光通信系统中作用以及发展趋势和现状，随着光网络和光通信技术向大容量、低功耗和智能化的方向发展，速率和能耗成为制约通信技术发展的两大技术瓶颈。为了图片这两大瓶颈，新型高速光电子器件在光传输、光信息处理与交换、光接入以及光与无线融合等领域的关键环节发挥着越来越重要的作用。光电子集成、光电子与微电子的融合以及多维调制与复用将成为通信用光电子器件的三大发展趋势。