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高通新一代旗舰芯片将采用台积电7纳米制程 支持5G

摘要:高通(Qualcomm)新款旗舰手机芯片已完成完成设计(tape-out),确定将采用台积电7纳米制程,供应链传出,高通新款手机芯片已经在第四季量产,最大的特色是整合类神网路运算单元(NPU)及支持5G,可大幅提升人工智能边缘运算效能。

  ICCSZ讯 据报道,高通(Qualcomm)新款旗舰手机芯片已完成完成设计(tape-out),确定将采用台积电7纳米制程,供应链传出,高通新款手机芯片已经在第四季量产,最大的特色是整合类神网路运算单元(NPU)及支持5G,可大幅提升人工智能边缘运算效能。

  预计包括三星、华为、OPPO、Vivo等非苹阵营手机大厂均将采用,最快明年第一季终端手机可望上市。

 新一代的旗舰手机芯片

  高通目前Snapdragon 8系列的手机芯片主要采用三星晶圆代工(Samsung Foundry)10纳米制程,虽然三星已宣布支持极紫外光(EUV)微影技术的7纳米制程开始量产,但台积电7纳米已量产进入第三个季度。

  也因此,随着苹果及华为的自制手机芯片已采用台积电7纳米制程量产,高通基于上市时间的考量,新一代旗舰手机芯片亦采用台积电7纳米投片。

  业界人士指出,高通最新款旗舰手机芯片将于第四季在台积电7纳米制程量产,同时将可望于明年第一季搭载终端装置在市面上问世,并将会是高通首款支持5G数据机芯片的移动平台。目前正式名称在市场上众说纷纭,可能将会延用上一代命名方式,取名做Snapdragon 855或是Snapdragon 8150。

  高通本次采用台积电7纳米制程投片,芯片运算效能将可望相较前一代提升不少,功耗亦可明显降低,而最大的特色在于,高通首度将支持人工智能运算的NPU处理单元整合进入手机芯片当中,并同支持5G数据机,使人工智能边缘运算速度明显增加。

 安卓阵营高端机采用

  高通积极推动5G在明年商用化,由于初期各项产业链在5G投资成本依旧高昂,因此高通也看准这点,仅会在明年初期将5G芯片导入旗舰手机平台,抢攻三星、小米、OPPO、Vivo等安卓高端机种订单,预料明年下半年后才会把5G最新规格逐步下放到中低阶机种,届时将会与联发科面对面战争。

  此外,高通推出的快充规格Quick Charge目前最新版为QC 4+,但随着新款手机芯片推出,将可望推出新规格。供应链指出,高通预计将于明年推出QC 5最新快充规格,将可望将最高输出功率从原先的27W提升至32W,并在充电设计上从2条电路该改为3条电路输出,让充电效率提升,同时不让温度明显增加。

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