CUMEC参展CIOE2020 构建硅基光电子芯片开放平台

  ICC讯 2020年9月9-11日，第22届中国国际光电博览会圆满举办，CUMEC在 8号馆8D53展位展示从设计到制造、封测三大服务平台。

  联合微电子中心是由重庆市政府牵头组建的国家级国际化新型研发机构，中心着眼高端工艺开发和核心产品协同设计，建立自主可控IP库，打造基于IP复用的网络化集成产品协同设计平台，将建立国际主流的8吋先导工艺平台与国际一流的12吋特色工艺平台。CUMEC致力于为客户提供硅基光电子芯片设计、芯片制备、芯片光电封装服务的全流程芯片开发平台。

  一、设计服务

  CUMEC专注于面向多个应用的芯片设计服务，包括硅基光电子、三维集成、智能传感。

  二、 硅光工艺服务

  CUMEC公司8时特色工艺平档投资13亿，以硅基光电子异质异构三维集成为核心技术，是目前国际先进、国内唯一完整具有自主知识产权的光电微系统先导工艺平台，具有光刻、别蚀、注入、扩散、薄膜、化学机械抛光(CMP)、外延等完整的集成电路工艺制作能力。依托高水平人才骨干团队，8时硅基光电子工艺平台建设不到一年成功通线，核心技术开发取得重大突破，多项成果国内领先、达到国际先进水平，中试产能3000片/月。

  8时特色工艺平台拥有设备仪器120余台套，配置ArF (193nm)、KrF(248nm)、i-line光刻机和配套的刻蚀、介质层淀积等设备，具备90nm小线宽光刻、刻蚀、介质工艺能力;配 置W-CVD、AI/Ti/TiN/Cu/Ta/TaN等金属薄膜设备，具备W-plug、A布线、大马士革布铜布线能力;配置多种瞎合机、双面光刻机、解健合机、减薄、深硅刻蚀、厚Cu电键等典型3D集成设备，具备各种键合、减薄、TSV(典型∶10*100um)、RDL(再布线)等3D集成工艺能力。

  180nm硅光工艺PDK

  CUMEC PDK(CSIP180AL)基于180nm硅光工艺开发，村底采用200mm SOl温圆，220nm顶层硅+2um BOX；

  提供3层硅刻蚀，4xP/N掺杂，Ge外延，热电极，金属互连等工艺，可选无源和有源规格，提供丰富的baseline器件；

  一站式硅光解决方案，支持设计、制造、封装、测试全流程；

  合理的流片价格，领先的交付速度。

  三、硅基光电子封装测试平台提供的封装技术服务

  CUMEC硅光封测平台是国内唯一的具备硅光芯片定制化全流程封装测试服务能力的开放式服务平台。

  CUMEC公司于2019年搭建完成的硅基光电子封装测试平台是国内首个全流程硅基光电子封装测试平台，具备±0.5um精度的光纤封装能力;在光域测试方面具备10kHz窄线宽扫谱测试、600nm-1700nm谱宽及±0.04nm@(1450-1520nm)的光谱测试精度能力;在时域测试方面，支持64GBaud符号率眼图测试;在频域测试方面，支持10MHz-67GHz频率范围带宽测试。该平台对外提供的封装技术服务包含，封装损耗≤0.2dB/端的光栅封装服务;封装损耗≤0.5dB/端的端面封装服务;通道间隔≤40um的高密度封装;RF封装带宽≤20GHz。

  该平台具备硅光全流程封装测试所需的全部硬件设备，高值设备主要有光波元件分析仪、高速误码测试系统、高精度合系统、高精度封装系统、自动光纤耦合系统、O波段窄带宽扫谱激光器、C+L波段窄带宽扫谱激光器、光任意波形发生器、高速实时示波器、光采样示波器、多通道高精度电源系统等。