敏芯半导体推出SLD及SOA芯片样品

  近日，敏芯半导体陆续推出了多款芯片，进一步丰富了产品矩阵。其中，超辐射发光二极管(Superluminescent Emitting Diode, SLD)可用于光纤陀螺、光学相干层析成像(OCT)和光纤通信等领域;半导体光放大器(SOA)可作为前置放大和线路放大应用于数据中心与WDM网络中，该芯片采用InGaAsP/InP多量子阱结构设计和掩埋异质结结构(Buried Heterostructure)工艺，输入/输出端面上均镀有抗反膜。

  1310nm大功率低偏SLD

  超辐射发光二极管是一种自发辐射光放大(Amplifier Spontaneous Emission, ASE)芯片，其光电特性介于激光器与LED之间，兼具激光器的高出光功率以及LED的宽光谱特性，在光纤陀螺、光学相干层析成像技术(Optical Coherent Tomography, OCT)以及光纤通信等领域有着广泛的应用。

  敏芯半导体推出的1310nm大功率低偏SLD芯片S0031L3-C02，工作温度25℃，工作电流100mA，中心波长1310nm±20nm，光谱宽度>40nm，ripple<0.2dB，偏振消光比<1dB，出纤功率>2mW。

  下图(a)为SLD典型的功率曲线，图(b)为其典型光谱，光谱宽度(FWHM)可超过40nm。

       1310nm SOA半导体激光器芯片

  敏芯半导体近日发布的1310nm SOA半导体激光器芯片，是一款高增益、高饱和输出功率、低噪声指数NF和低偏振相关特性的半导体光放大器芯片。光放大增益大于16dB，典型饱和输出光功率在7dBm，ASE谱宽大于45nm，可应用于光网络中作为前置放大和线路放大。

  目前国内外数据中心运营商都在快速构建自己的数据中心，为了提升传输速率，近年来各数据中心运营商在数据中心建设上投入巨大，数据中心的大型化趋势导致传输距离需求的提升，对光模块探测器灵敏度要求提高，SOA作为对光信号进行放大的半导体元器件，放置于探测器前，能够补偿光信号在传输过程中的损耗。

  敏芯半导体芯片研发部总监周志强博士表示，高功率SLD芯片是公司在光传感领域的一次有益探索，有助于国内光纤陀螺客户解决芯片短缺难题。同时SLD和SOA芯片的推出也丰富了公司的产品种类，可以为客户提供更多的方案选择及更好的服务。