台积电突破2nm芯片技术

  ICC讯 近日，据台湾相关媒体报道，台积电2nm芯片技术研发已取得重大突破，找到了实现的路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，GAA)。按照台积电的计划，其2nm制程芯片将在2023年-2024年间推出。

  台积电3nm制程芯片预计明年上半年在南科18厂P4厂试产，并将于2022年量产。台积电今年4月曾表示，3nm制程芯片仍会沿用FinFET(鳍式场效应晶体管)技术，主要考虑是客户在导入5nm制程后，采用同样的设计即可导入3nm制程，可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品。

  据悉，台积电的竞争对手三星已决定在3nm技术领域率先导入GAA 技术，并宣称到2030年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位。台积电在2nm技术研发上取得突破，再次获得对三星的相对领先优势。