台积电2nm工艺研发进展超预期 将采用环绕栅极晶体管技术

  ICC讯 9月22日消息，据国外媒体报道，在5nm工艺今年一季度投产，为苹果等客户代工最新的处理器之后，芯片代工商台积电下一步的工艺研发重点就将是更先进的3nm和2nm工艺。

  在7月16日的二季度财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家透露，他们3nm工艺的研发正在按计划推进，仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET)，计划在明年风险试产，2022年下半年大规模投产。

  与多次提及的3nm工艺不同，台积电目前并未公布太多2nm工艺的消息，在近几个季度的财报分析师电话会议上均未曾提及。

  虽然台积电方面未对外公布2nm工艺的消息，但外媒援引产业链人士透露的消息，还是进行过多次报道。

  在最新的报道中，外媒援引产业链消息人士的透露报道称，台积电2nm工艺的研发进展超出预期，快于他们的计划。

  这一消息人士还透露，台积电的2nm工艺，不会继续采用成熟的鳍式场效应晶体管技术，而会采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。

  在此前的报道中，外媒提及的与台积电2nm工艺相关的信息，出现过两次，均是在8月底。其一是台积电已在谋划2nm工艺的芯片生产工厂，将建在总部所在的新竹科学园区，台积电负责营运组织的资深副总经理秦永沛，透露他们已经获得了建厂所需的土地。第二次是在上月底的台积电2020年度全球技术论坛上，他们透露正在同一家主要客户紧密合作，加快2nm工艺的研发进展，相关的投资也在推进。