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将首发供应DDR4:国产17nm内存芯片良率或达40%

摘要:今年合肥长鑫将推出下一代17nm工艺内存芯片,首发产品是DDR4。  今年合肥长鑫将推出下一代17nm工艺内存芯片,首发产品是DDR4。

  ICC讯 今年合肥长鑫将推出下一代17nm工艺内存芯片,首发产品是DDR4。

  来自大摩的分析称,合肥长鑫的17nm工艺DRAM芯片良率已经达到了40%,预计Q2季度就会给客户供应产品,其成本相比台系厂商的20nm、25nm工艺内存更有优势。至于生产方面,大摩称合肥长鑫的产能今年会增加到8万片晶圆/月,并在北京新建工厂,量产17nm工艺内存芯片

  此外,长鑫还会研发7nm及以下工艺的DDR5、LPDDR5等内存,再下一代的10G5工艺中,除了DDR5、LPDDR5之外还有GDDR6显存。在2020年、2021年,长鑫分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的目标,2022年的产能目标是12万片晶圆/月,未来的产能目标是30万片晶圆/月。

内容来自:中关村在线
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关键字: 17nm 芯片 良率
文章标题:将首发供应DDR4:国产17nm内存芯片良率或达40%
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