意法跨过8吋碳化硅晶圆量产里程碑

  ICC讯 意法半导体(STMicroelectronics，ST)宣布，该公司位于瑞典Norrk?ping的工厂制造出首批8吋(200mm)碳化矽(SiC)晶圆，这些晶圆将用于生产下一代功率电子晶片产品原型。将SiC晶圆升级到8吋代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计画获得重要阶段性的成功，其巩固了ST在此一开创性技术领域的领导地位，且提升了功率电子晶片的轻量化和效能，降低客户获取这些产品的拥有总成本。

  意法半导体首批8吋SiC晶圆品质十分优良，对于晶片良率和晶体位元错误之缺陷非常低。其低缺陷率归功于意法半导体碳化矽公司(前身为Norstel，2019年被ST收购)在SiC矽锭生长技术深厚积累的研发技术。除了晶圆能满足严格的品质标准之外，升级到8吋SiC晶圆还需要对制造设备和支援生态系统的升级。意法半导体正在与供应链上下游技术厂商合作研发专属的制造设备和生产制程。

  意法半导体先进的量产碳化矽STPOWER SiC目前由义大利卡塔尼亚和新加坡宏茂桥两家6吋晶圆厂完成前段制程制造，后段制程制造则在中国深圳和摩洛哥布斯库拉的两家封测厂进行。这个阶段性的成功是意法半导体布局更先进的、高成本效益之8吋SiC量产计画的一部分。到2024年，升级到8吋SiC晶圆属于公司正在执行之新建碳化矽基板厂和内部采购碳化矽基板比重超过40%的计画。

  意法半导体汽车和离散元件产品部总裁Marco Monti表示，汽车和工业市场正在加速推动系统和产品电气化的进程，升级到8吋SiC晶圆将为我们的汽车和工业客户带来巨大优势。随着扩大产能，提升规模经济效益至关重要。在覆盖整个制造链的内部SiC生态系统领域累积之深厚的专业知识，可提升我们的制造弹性，还能更有效地控制晶圆良率和改善品质。

  碳化矽是一种化合物半导体材料，在电动汽车和工业制造过程等重要的高成长之功率应用领域，相较于与矽材料，碳化矽可提供更高的性能和效能。ST在SiC领域的领导地位归功于25年的专注和研发投入，其拥有70多项专利。这项颠覆性技术可达到更高效的电力转换，更小且更轻量化的设计，同时节省更多系统设计的整体成本，这些都是决定车用和工业系统成功的关键参数和因素。相较于6吋晶圆，8吋晶圆更可以增加产能，将制造积体电路可用面积扩大近一倍，合格晶片产能则为6吋晶圆的1.8~1.9 倍。