陈教授在演讲中指出铌酸锂为基的光子集成器件主要仍是高速光调制器,估计今后若干年内40Gps以上的铌酸锂M-Z调制器尚无别的可取代。
半导体光子集成仍是光集成发展的主流
在谈到SiO2光子集成时说SiO2为基的AWG已有许多应用,虽然通道数一千以上的AWG在技术上已不是问题,但尚未实际采用,近年更注意发展与VOA和光开关等多功能集成的器件和模块,通道数量中等,以适应发展灵活城域光网的需要,以此构成的ROADM就是明显例子。陈教授认为半导体光子集成目前仍是光集成发展的主流,特别是InP光子集成受到多方面重视,取得了可喜进展,Bookham的InP 10Gps M-Z调制器芯片尺寸仅三毫米,可以大大缩小收发模块体积;近两年Infinera 的大规模光子集成发展迅速,1.6 Tb/s 的芯片上光器件已超过240,共40通道,传输速率40Gps。
城域光网使用的光开关大部分都是在100端左右
陈教授在讲到MOEMS技术在光网络中应用的前景时认为大端数光开关阵列的解决方案目前只有3D-MOEMS,已报道能做到了4000×4000端数,但现在千端数以上的光开关在光通信中还没有采用,发展中的城域光网使用的光开关大部分都是在100端左右,例如Glimmerglass 公司开发的从32×32到160×160的MOEMS光开关子系统似乎很受欢迎。
聚合物光子集成器件可能会在接入光网络中应用
关于聚合物光子集成器件,他认为首先可能会在接入光网中应用,例如1×16以上的光分路器,当大批量生产时有明显的成本低的优势,在今年2006OFC上,日本OMRON公司介绍了一项聚合物光子集成器件大量复制工艺。
光子晶体前景广阔 道路漫长
演讲的最后部分陈教授介绍了光子晶体在光子集成中应用的研究现状和前景,由于光子晶体对光导通和限制的机理与传统的材料和器件根本不同,光子带隙效应可将光子晶体中光束限制于更小空间,使光器件尺寸更小,例如2005年已报道光子晶体M-Z调制器仅80微米,这就有可能更大提高光集成密度。陈教授指出光子晶体光子集成目前尚处于基础研究阶段,虽然已有许多有源和无源光子晶体光器件在实验室证实,但到实际应用还有很长路程。