三星携手美企改善3纳米良率 希望赶超台积电

  ICC讯  据报道，三星已经与美国的 Silicon Frontline Technology 公司合作，以提高其半导体芯片在生产过程中的良率，以便于在 3 纳米工艺上赶超台积电。

  报道中称，三星电子先进制程良率非常低，自 5 纳米制程开始一直存在良率问题，在 4 纳米和 3 纳米工艺上情况变得更加糟糕。据传三星 3 纳米解决方案制程自量产以来，良率不超过 20%，量产进度陷入瓶颈。

  三星目前在 4 纳米和 5 纳米工艺节点上出现了与产量有关的问题，该公司不希望这个问题再次出现在 3 纳米工艺上。因此希望通过和 Silicon Frontline Technology 公司合作，帮助三星晶圆厂进行前端(front-end)工艺和芯片性能改进。

  IT之家了解到，这家美国公司提供芯片鉴定评估和 ESD(静电放电)预防技术。ESD 是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一，是由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的。据报道，三星在芯片设计和生产过程中已经与 Silicon Frontline 公司合作了很长时间，并取得了令人满意的结果。该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术。