海外专家：美国围堵难以遏制中国半导体产业发展

  ICC讯  美国商务部工业和安全局 (BIS) 发布针对中国的先进EDA软件、超宽禁带半导体衬底片等新一轮出口管制政策后，业内专家认为美国连番遏制措施难以实质性影响中国半导体产业发展，反而将阻碍美国及其盟友技术创新。

  波士顿咨询公司副总监 Karl Breidenbach 接受行业媒体采访时表示，美国多边出口管制将为高度相互依存的氧化镓和金刚石基半导体产业发展带来额外负担，欧洲和日本公司正在开发的MOCVD等特殊工艺创新步伐可能被拖慢。

  TechInsights 分析师 Dan Hutcheson 则表示，对运用于GAAFET设计制造的EDA工具限制，主要影响美国公司如 Ansys、Cadence、Synopsys，从过去经验看，严格的出口管制将刺激中国本土设计工具加速发展，与Hutcheson交流的业内专家认为，中国国产EDA工具在28纳米及以上节点已具备较强竞争力，Hutcheson判断中国EDA厂商将在三到四年内达到业界前沿水平。

  奥尔布赖特石桥公司中国高级副总裁 Paul Triolo 认为，美国的目标是使中国在半导体制造领域落后西方两到三代，不过只要中国IC设计企业仍可通过台积电、三星、英特尔在海外代工平台制造产品，就仍然能够参与全球市场竞争。

  Triolo还指出，限制先进EDA设计工具的规则仍然有待明确，可否将相关功能从整体软件包中分离尚无法确定，对半导体制造设备的限制同样如此，冷战式的出口管制体系难以适应于高度发达的民用产业全球供应链。