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基于OCI系统的片上微环器件表征

摘要:使用OCI1500系统,通过背向表征方法,可准确、方便地提取微环的传播损耗和自由光谱范围等特征。

  ICC讯 片上微环谐振腔的损耗特征关系到整个器件的光学性能,传统的透射表征方法容易受到片上其他器件的干扰,当测量超高Q值的微环时,光谱仪分辨率不足将会严重影响测量结果的准确性。使用OCI1500系统,通过背向表征方法,可准确、方便地提取微环的传播损耗和自由光谱范围等特征。

  测试过程

  微环的尺寸较小,但是由于损耗较低,光会在微环的内部环绕传播很长的时间,通过探测传播过程中每个位置处的回波信号,我们可以提取环内的损耗性质。测试原理如图1所示。我们表征的微环是一个Ge掺杂型的二氧化硅微环,半径为1600μm,芯区的折射率为1.48,包层折射率为1.44左右,微环的界面尺寸为4μm*4μm。

图1. 测试系统实验装置示意图

  首先,我们将OCI1500系统接入微环器件,设置扫描的波长范围与微环的工作波长范围重合,然后进行约80nm扫频范围的测试。

  由于这个范围内包括了很多个谐振频率,所以我们可以在OCI系统上,选取距离域信号进行iFFT变换,从而得出微环的频率响应。

  通过测量相邻两个谐振峰的波长间隔,我们可以得到微环的自由光谱范围。最后,我们通过拟合光传播信号曲线,得出微环的损耗值。

测试结果

  第一次宽谱扫描的结果如图2所示。可以看出,虽然微环腔的环波导周长不到1cm,整个芯片从头至尾的长度也只有约1.5cm,但是我们在距离域上测得了将近2m的传播路径,这就是耦合入微腔的谐振光,在微腔内进行环绕传播的距离。

  从OCI系统耦合入微腔的光,其相对的信号强度从约-100dB衰减至-130dB,最终在约6.5m的距离处,淹没于OCI系统的本底噪声之中。

  图2. 微环内的距离域传播特征

  利用OCI系统的频域表征模块,我们得到了环内传播的谐振光距离域信息,也就是从4.5m到约6.5m的区域,由于我们的扫频范围包括了微腔的很多谐振频率,所以这一段曲线实际上是所有谐振光贡献的总和。

  根据光频域反射原理,选取距离域上的任意一段路径,对这段曲线进行反傅里叶变换(iFFT)算法处理,得出此段路径的OFDR频率响应,结果如图3所示。

  图3. 微环的频率响应

  最后,对谐振腔的距离域谱线进行了拟合测量。为了验证该表征技术的准确性,我们还制备了3个耦合长度(L)不同的微环,分别被命名为微环A(L=600μm)、微环B(L=400μm)和微环C(L=200μm),它们的传播损耗测量结果如图4所示。

  图4. 三种耦合长度微腔的距离域传播特征

  通过曲线分析,可以求出它们的损耗值分别为-7.8dB/m、-7.0dB/m和-5.1dB/m。反映了随着耦合长度的减小,微环与耦合直波导的耦合强度会相应地减小,使得光在微环中每绕一周的传播损耗降低。

  实验结论

  利用OCI系统表征微环器件,可以方便地获得光在微环中的距离域传播曲线,通过谱线分析,可以准确地提取微环的频率响应和传播损耗特征。该技术还可以推广到其他各类光学微腔的表征实验中,特别是超高Q值微腔的表征。理论上Q值越高,OCI系统距离域的采集点会越多,测量反而会更容易,说明该系统具有较高的应用前景和推广价值。

内容来自:昊衡科技
本文地址:http://www.iccsz.com//Site/CN/News/2021/05/31/20210531094202115158.htm 转载请保留文章出处
关键字: OCI 微环器件
文章标题:基于OCI系统的片上微环器件表征
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