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美国Inphenix推出新款SLD宽带光源组件位于美国加州业界领先的光电子器件及子系统供应商Inphenix公司日前宣布，公司已研制出新型1310nm SLD器件IPSDD1306，该器件的半宽达到70nm,功率超过15mW,能有效增强OCT（光学相干断层成像）医疗领域客户的成像精度及表现。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2009/12/17/20091217092410631750.htm 2009/12/18
InPhenix研制出840nm大功率宽带SLED 作为电信、医疗, 工业、航空航天和安全等领域光电器件和子系统领先的供应商，Inphenix公司日前宣布公司已经研制出新型840nm的大功率宽带SLED器件，该款SLED器件的带宽大于30nm，功率大于5mw，能应用于工业和医疗领域。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2009/01/14/20090114073551845750.htm 2009/1/15
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美国Inphenix推出新款SLD宽带光源组件

位于美国加州业界领先的光电子器件及子系统供应商Inphenix公司日前宣布，公司已研制出新型1310nm SLD器件IPSDD1306，该器件的半宽达到70nm,功率超过15mW,能有效增强OCT（光学相干断层成像）医疗领域客户的成像精度及表现。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2009/12/17/20091217092410631750.htm 2009/12/18

作为电信、医疗, 工业、航空航天和安全等领域光电器件和子系统领先的供应商，Inphenix公司日前宣布公司已经研制出新型840nm的大功率宽带SLED器件，该款SLED器件的带宽大于30nm，功率大于5mw，能应用于工业和医疗领域。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2009/01/14/20090114073551845750.htm 2009/1/15

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