长瑞光电专注于III-V族激光器芯片的设计、研发、制造和封装测试，具备自主的晶圆到流片的生产线，完整的光学性能以及可靠性测试能力，为海内外客户提供低成本、高效率的VCSEL定制化服务，市场覆盖高速光通信、车载激光雷达、消费传感、工业安防、医美等多个应用领域。

把激光集成到芯片上的四种方法，即倒装芯片集成、微转印、晶圆键合和单片集成，硅上的直接III-V族外延，例如NRE技术，代表了激光集成的最高水平。

12月1日，光迅科技在投资者在互动平台上回答提问表示，公司在100G和400G产品中III-V族光芯片和硅光芯片方案均可提供。

光迅科技在投资者互动平台表示，目前光迅公司在100G和400G 产品中III-V族光芯片和硅光芯片方案均可提供。

上海微系统所实现基于III-V族量子点确定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子学芯片

长瑞光电专注于III-V族化合物半导体激光器芯片，公司推出的50G PAM4 VCSEL已经实现量产并批量出货，助力超高速光互联发展。

晶圆制造商Tower Semiconductor联合瞻博网络推出世界首个全集成III-V族激光器、放大器、调制器和探测器的硅光子晶圆工艺制造平台。PDK有望年底投入使用，首个开放MPW预计明年初运行。首批采用集成激光器的完整400Gb/s和800Gb/s PIC设计样品有望在2022年第二季度发布。

光通信应用中光接收组件PD ROSA的灵敏度由ROSA中PD光响应度和ROSA的噪声决定。ROSA噪声包含PD的噪声和TIA的噪声。对于25G PD ROSA，由于TIA的噪声电流在整个ROSA的灵敏度影响因素中占了绝对主导地位，PD的暗电流大小对ROSA灵敏度影响已经非常小。这就从理论上解释了目前暗电流比传统III-V族材料高2个数量级(1nA vs. 100nA)的Ge/Si PD ROSA的灵敏度和InGaAs材料的PD ROSA一样甚至更好。

讯石走进高速光芯片制造商苏州长瑞光电有限公司，公司主要从事III-V族半导体激光器芯片的研发和制造，拥有自主的晶圆到流片的生产线，完整的光学性能以及可靠性测试能力，主要应用于高速光通信与消费类电子产品。随着光通讯受新基建5G和数据中心建设的带动，VCSEL、DFB、EML等光芯片将迎来强劲的需求增长。

超大规模的铌酸锂薄膜集成光路仍然面临重大机遇和挑战。在技术层面，器件的设计和加工仍需优化；现有技术必须升级，以满足晶圆级的超低损耗加工要求；铌酸锂与III-V族半导体等材料的异质集成刚起步，用以提供电泵浦的片上光源和高效探测器。在经济层面，目前铌酸锂薄膜晶圆的价格比绝缘体上的硅晶圆昂贵；更大尺寸（如8英寸）的光学级铌酸锂薄膜晶圆尚未商品化。

领先的III-V族化合物半导体材料提供商三安光电2018年实现总营收83.64亿，同比下降0.35%，归属股东净利润28.3亿元，同比下降10.56%。涉足射频、电力电子、光通讯和滤波器市场的全资子公司三安集成，2018年实现销售收入约1.71亿元， 应用于各类数据中心和5G前端的光通讯VCSEL器件部分，已完成客户25G相关产品的量产评估，进入小批量试产，在数通及消费类市场与行业领先客户展开深入合作，未来有望成为光通讯芯片的主要供应商。