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比利时根特大学imec研究小组IDLab的一组研究人员展示了一种实现200Gbps总数据速率的光接收器。他们的方法结合了SiGe BiCMOS行波电子集成电路和硅光子光电探测器,不仅提供了速度,而且提供了可扩展性,这是想要满足爆炸式数据速率需求的两个先决条件。
根据商务部、海关总署此前发布的《关于对镓、相关物项实施出口管制的公告》,8月1日起,对镓、相关物项实施出口管制。
自7月3日,我国商务部海关总署决定对镓、相关物项实施出口管制后,多国对中国本次限制措施感到担忧。
荷兰外交部在一份声明中指出,这将对欧洲和荷兰经济产生何种程度的影响,将取决于中国如何实施。鉴于欧盟在贸易政策方面的权威,就这些措施与中国交涉主要取决于欧盟。
商务部海关总署决定对镓、相关物项实施出口管制,涵盖砷化镓、氮化镓、金属外延生长衬底等半导体材料
华中科技大学团队利用非线性硅光电探测器的非线性光学吸收效应来实现全光非线性激活函数
云南发布《重点产业关键核心技术攻关行动方案(2022-2025年)》,支持先进、硅、铟基光电子微电子材料、碳化硅、磷化铟半导体材料发展
中国科学技术大学郭光灿院士团队郭国平教授、李海欧教授等人与合作者携手,在硅基空穴量子点中实现了自旋轨道耦合强度的高效调控,这对该体系实现自旋轨道开关以及提升自旋量子比特的品质具有重要的指导意义。研究成果日前在线发表在国际应用物理知名期刊《应用物理评论》上。
由于市场需求的爆发式增长,数据中心和高性能计算的高速光互连已成为光通信领域的快速发展方向。为实现更高的带宽和集成度,高增益带宽的雪崩光电二极管(APD)受到广泛关注。
中国信息通信科技集团有限公司CICT提出的硅上光电二极管架构,使用与吸收区平行的氮化硅波导,使光电探测器的响应度增加近两倍,传输速率高达180 Gbit/s
美国阿肯色大学电子工程教授Shui-Qing“Fisher”Yu领导的材料科学研究人员展示了第一个用锡制造的电注入激光器。这种二极管激光器可以更低成本提高微处理速度和效率。研究成果发表在光学学会杂志《Optica》上。
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