中科通信《面向5G及数据中心高速硅基芯片的光模块关键技术及应用》荣获浙江省科学技术进步奖三等奖

易飞扬即日完成一款全国产化硅基100G DR1芯片的封装和测试，测试性能基本满足行业协议。这款芯片系易飞扬与重庆联合微电子中心在2020年签署的合作项目，亮点是实现了在重庆联合微电子中心8英寸生产基地的国产化自主流片。

对于传输距离大于500米的应用场景，为了节约光纤成本，电信网中的CWDM技术被引入数据中心，即为CWDM4传输方案。为满足数据中心中长距离传输，又要符合降本需求，亿源通推出了小尺寸，相对低成本，可封装在光收发模块的AWG CWDM4产品。亿源通的 AWG CWDM4模块基于硅基芯片技术，拥有紧凑性、易组装的结构以及很好的可靠性，每个ITU通带均有足够的工作带宽，在高低温的影响下都可以保持ITU理想的插入损耗指标。该AWG CWDM4器件可安装在狭窄的空间内，其主体尺寸能压缩到长15x宽2x高2mm以内，且采用的是Corning ClearCurve ZBL光纤，该光纤弯曲半径达到了5mm，几乎零弯曲损耗，具有高保真、高传输速率

在提高硅的电致发光亮度与速度以及在商用微电子芯片内部直接实现全硅基光电融合上，麻省理工学院 RLE 实验室 (the Research Laboratory of Electronics) 博士生薛今联合半导体厂商格罗方德的合作研究人员取得突破性进展，为微电子芯片光互连、短距高速光通信以及高度集成的光学传感与探测提供了全新的可能性。

全球8英寸晶圆代工产能紧张，第四季度报价已全面喊涨。

中山大学光电材料与技术国家重点实验室余思远教授团队与英国伦敦大学学院(UCL)刘会赟教授团队合作，成功实现了国际上首例硅基外延生长电抽运室温连续工作分布反馈式(DFB)激光器阵列芯片。该芯片将是未来光通信技术的核心芯片，现有类似功能的非硅基芯片在今年的“中兴事件”中被列入禁运清单。该成果将我国的核心光电子集成芯片技术推向国际顶尖水平，对于在激烈的国际高技术竞争背景下打破国际垄断，占领未来技术高地，提升我国自主研发能力，具有特别重要的意义。

众所周知，将高速发光体集成到硅芯片上可支持硅基光电子学的新架构。但迄今为止，由于基于化合物半导体的发光体难以在硅衬底上直接制造，因此将其集成到硅基平台面临着重大挑战。近日，来自日本科学技术局的研究人员开发了高速、高度集成的基于石墨烯的硅基芯片发射器。这些发射体工作在近红外区域，包括电信波长(约1550nm)。研究团队表示，新型发射器“比传统化合物半导体发射器具有更大的优势”。

美国麻省理工学院发布消息称，该校一个研究团队开发出一种新材料，可集成在硅基芯片上进行光通信，从而比导线信号传输具有更高的速度和更低的能耗。该成果发布在最新出版的《自然·纳米技术》期刊上。