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日本开发出光通信高速片上石墨烯黑体发射器众所周知，将高速发光体集成到硅芯片上可支持硅基光电子学的新架构。但迄今为止，由于基于化合物半导体的发光体难以在硅衬底上直接制造，因此将其集成到硅基平台面临着重大挑战。近日，来自日本科学技术局的研究人员开发了高速、高度集成的基于石墨烯的硅基芯片发射器。这些发射体工作在近红外区域，包括电信波长(约1550nm)。研究团队表示，新型发射器“比传统化合物半导体发射器具有更大的优势”。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2018/04/08/20180408004829947930.htm 2018/4/8
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日本开发出光通信高速片上石墨烯黑体发射器

众所周知，将高速发光体集成到硅芯片上可支持硅基光电子学的新架构。但迄今为止，由于基于化合物半导体的发光体难以在硅衬底上直接制造，因此将其集成到硅基平台面临着重大挑战。近日，来自日本科学技术局的研究人员开发了高速、高度集成的基于石墨烯的硅基芯片发射器。这些发射体工作在近红外区域，包括电信波长(约1550nm)。研究团队表示，新型发射器“比传统化合物半导体发射器具有更大的优势”。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2018/04/08/20180408004829947930.htm 2018/4/8

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