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研究发现
石墨
烯电加热红外辐射波影响人类脑电波
一种无生命的物质究竟有没有网络上所说的诸多功效?对此,浙江大学长期从事
石墨
烯研究的林时胜教授接受科技日报记者专访时表示,研究显示,大部分产品实际上仅使用了“
石墨
烯”字眼,没有或者只是掺了非常少的
石墨
烯。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/12/15/20221215020621691107.htm
2022/12/15
CMOS兼容光子集成电路会议在比利时微电子研究中心IMEC召开
2022年9月7日至8日,欧洲光电产业协会(EPIC)在比利时微电子研究中心(IMEC)举办 “CMOS兼容光子集成电路会议”。会议汇集了COMS、硅基、MEMS等代工厂以及具有光子功能的新材料(
石墨
烯、三五族材料等)的制造商和供应商,旨在促成行业内的新合作。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/10/08/20221008022038247107.htm
2022/9/20
特种硅基开关可大幅降低数据中心能耗
降低能耗的一种方法是使用光与电控光开关进行通信,控制光的流动,从而控制服务器之间的信息。近日在线发表于《自然·纳米技术》上的一篇论文中,美国华盛顿大学领导的联合研究团队报告了一种节能的硅基非易失性开关设计,该开关通过使用相变材料和
石墨
烯加热器来控制光。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/07/13/20220713063832894616.htm
2022/7/13
超强激光照射
石墨
烯实现高能离子加速
近日,日本大阪大学领导的研究团队在日本量子科学技术研究开发机构用超强J-KAREN激光照射世界上最薄、最强的
石墨
烯靶材,从而实现了直接高能离子加速,开启了激光驱动离子加速的新机制。研究结果发表在自然科研旗下《科学报告》杂志上。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/02/21/20220221070715881774.htm
2022/2/21
“万能”的碳纳米管或改变未来
近日,国内最大的碳纳米管生产企业——江苏天奈科技股份有限公司(以下简称天奈科技)发布公告称,预计2021年上半年实现净利润1.1亿—1.5亿元,同比增加235.41%—357.37%。业绩高速增长归功于该公司开发的碳纳米管导电剂,一改我国锂电池企业导电剂依赖进口的局面。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/08/27/20210827014833385142.htm
2021/8/27
“国产芯片”有望实现弯道超车
国产芯片发展之路,除了遵循摩尔定律,研发硅芯片外,或许能依靠
石墨
烯、光量子等新材料芯片的研发,实现芯片赛道的弯道超车。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/06/17/20210617024920256859.htm
2021/6/17
8英寸
石墨
烯晶圆研发成功,硅基芯片仍为主流
全球8英寸晶圆代工产能紧张,第四季度报价已全面喊涨。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/12/07/20201207080638360103.htm
2020/12/7
混合集成单层二硫化钨的微纳光纤:光纤非线性增强与调控
近十年来,以
石墨
烯为代表的二维材料,由于具有优异的光、电、磁、力和热学等特性,而得到研究者广泛关注,并在基础物理和应用研究中扮演了重要角色。然而,基于二维材料的光电子器件的性能仍极大地受限于其横向物理尺寸与光波长的巨大失配,为此研究者提出利用光学谐振腔、表面等离激元和波导等结构来增强光-二维材料相互作用,并取得了众多进展。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2019/12/19/20191219071840593308.htm
2019/12/19
第四届中国(上海)国际纳米及
石墨
烯展览会暨高峰论坛
第四届中国(上海)国际纳米及
石墨
烯展览会暨高峰论坛
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2018/10/29/20181029073758669495.htm
2018/10/29
西方使用
石墨
烯创造新方法 为超小型光器件提供可能性
来自西班牙光子科学研究所(ICFO)、葡萄牙米尼奥大学和美国麻省理工学院的研究团队利用
石墨
烯发现了一种能将光限制在一个原子厚度的空间中的新方法。将光线限制在如此狭小空间的能力可为超小型光电子器件铺平道路。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2018/04/27/20180427025226410285.htm
2018/4/27
日本开发出光通信高速片上
石墨
烯黑体发射器
众所周知,将高速发光体集成到硅芯片上可支持硅基光电子学的新架构。但迄今为止,由于基于化合物半导体的发光体难以在硅衬底上直接制造,因此将其集成到硅基平台面临着重大挑战。近日,来自日本科学技术局的研究人员开发了高速、高度集成的基于
石墨
烯的硅基芯片发射器。这些发射体工作在近红外区域,包括电信波长(约1550nm)。研究团队表示,新型发射器“比传统化合物半导体发射器具有更大的优势”。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2018/04/08/20180408004829947930.htm
2018/4/8
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