超大规模的铌酸锂薄膜集成光路仍然面临重大机遇和挑战。在技术层面，器件的设计和加工仍需优化；现有技术必须升级，以满足晶圆级的超低损耗加工要求；铌酸锂与III-V族半导体等材料的异质集成刚起步，用以提供电泵浦的片上光源和高效探测器。在经济层面，目前铌酸锂薄膜晶圆的价格比绝缘体上的硅晶圆昂贵；更大尺寸（如8英寸）的光学级铌酸锂薄膜晶圆尚未商品化。

量子级联激光器(QCL)是基于半导体多量子阱子带间电子跃迁的电泵浦半导体激光器。由于其体积小、功率大、效率高的特点，它是中红外和太赫兹重要的辐射源之一。它们的实际应用包括通信、数字信号处理、成像、传感和光谱学。与任何激光器一样，太赫兹量子级联激光器的输出特性取决于激光器谐振腔的设计，通常受到腔形状的强烈影响。一个新颖的和极有希望的设计元素是利用拓扑结构中的边缘态，它是具有鲁棒性的行波模式，受基础结构扰动的影响很小，并且可以有效地绕过缺陷(在制造和包装过程中可能出现的缺陷)和尖角。与常规电磁场模式不同的是，拓扑边缘态可以抵抗局部驻波模式的形成，这有助于抑制空间烧孔效应。这对于量子级联激光器来说是一个特别重要的考虑，因为它们的增益恢复速度比载流子扩散速度更快，这与传统半导体激光器有极大的不同。

通过对光电子纳米材料上的研究，海德堡大学和圣·安德鲁斯大学(苏格兰)的科学家首次成功地在半导体碳纳米管上证明了光与物质的强相互作用。这种强烈的光与物质之间的耦合是实现新光源的重要一步。

目前，硅光技术在无源器件领域的应用较广泛，硅基探测器的商业化进程已经开启，硅基激光器的研发也获得突破性进展。今年3月，英国研究人员展示了直接生长在硅衬底上的第一束实用性激光，波长为1300nm的激光能够在高温条件下使用长达十万小时。业内人士认为，实现基于硅衬底的电泵浦式激光是向硅光子学迈出的基础性一步。LightCounting预测，未来几年，仅硅光子在光通信领域的市场规模将达到10亿美元以上。

E2O通信公司近日宣布在电泵浦长波长VCSEL产品技术上实现突破。他们已经可以生产出从1270nm到1610nm的各种VCSEL器件。将从2004年开始在自己的光