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上海微系统所在在通讯波段硅基铌酸锂异质集成电光调制器方面取得了重要进展,基于标准180 nm硅光工艺在八英寸 SOI上制备了硅光芯片,通过直接键合的方式将铌酸锂与SOI晶圆实现异质集成,制备出通讯波段MZI型硅基铌酸锂高速电光调制器
1月2日,在位于江夏经济开发区庙山光电子信息产业园的武汉安湃光电有限公司展柜里展出了光通信领域的新“芯”产品——薄膜铌酸锂电光调制器的元器件。薄膜铌酸锂材料在业内有“光学硅”之称,因其优异的电光、声光和光学非线性效应,已成为当前高速电光调制器市场的主流产品。据了解,安湃光电生产线去年10月在江夏正式投产,短短两个月就已收到全国各地近百万元订单。
近日,首款国产化 110GHz 电光强度调制器产品在国家信息光电子创新中心(NOEIC)研制成功,并获多家产业客户验证和订购。
iFOC 2023,铌奥光电董事长蔡鑫伦将发表报告《铌酸锂薄膜光电子集成技术与芯片》,薄膜铌酸锂可以实现超高电光带宽、超低的驱动电压以及超低光学损耗,有望在电光调制器领域掀起一场革命。本报告介绍铌奥光电近年来在铌酸锂薄膜光电子器件的若干进展。
易缆微半导体将隆重展示保偏光纤阵列(PM-FA)、模场直径转换FA、数据中心400G/800G/1.6T硅光集成芯片、硅基集成高速电光调制器芯片和硅基V槽/CWDM/L-WDM/DWDM芯片等产品亮相CIOE 2023,展位号:11E11 易缆微半导体将携硅光集成芯片和光学引擎亮相CIOE 2023
浙江大学戴道锌教授课题组采用新型2×2 FP腔电光调制器阵列与四通道多模波导光栅波分复用器,实现了单片集成的薄膜铌酸锂光发射芯片
铌酸锂材料作为“光子革命”的中流砥柱,可用于实现制备集成激光器、放大器、变频器、电光调制器、光电探测器等关键光子器件,因此有利于促进光通信、激光雷达、粒子传感、信息处理等领域的飞速发展。
芯智华光子合肥工厂开业投运。芯智华光子在合肥高新区工厂一期产线建成投运后,将实现铌酸锂光芯片及器件产能10000只/年
哈佛大学与Freedom Photonics和HyperLight公司合作,开发了第一个完全集成在铌酸锂芯片上的高功率激光器,为高功率电信系统、全集成光谱仪、光学遥感和量子网络的高效频率转换以及其他应用铺平了道路。
北京大学团队研究了一种通过晶圆级紫外光刻和湿法蚀刻制造的具有110 GHz以上带宽的铌酸锂薄膜电光调制器
中山大学实现世界首例铌酸锂薄膜偏振复用相干光调制器,该器件半波电压低至1 V,而调制带宽超过了110GHz,是目前世界上最高性能的超低电压和超大带宽的电光调制器芯片。
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