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硅基热光相移器硅材料的热光系数为1.84e-4/K, 比二氧化硅、氮化硅等的热光系数高一个量级。因而对于一些工作温度变化较大的应用场景，需要考虑温度变化的影响。基于硅光的热光效应，可设计热光相移器、热光开关等。由于加热过程的特征时间是ms量级，其不可用于信号的高速调制。典型的热光相移器结构分为两种：以TiN作为热源和以轻掺杂的Si作为热源。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2018/11/23/20181123052504372094.htm 2018/11/23
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硅基热光相移器

硅材料的热光系数为1.84e-4/K, 比二氧化硅、氮化硅等的热光系数高一个量级。因而对于一些工作温度变化较大的应用场景，需要考虑温度变化的影响。基于硅光的热光效应，可设计热光相移器、热光开关等。由于加热过程的特征时间是ms量级，其不可用于信号的高速调制。典型的热光相移器结构分为两种：以TiN作为热源和以轻掺杂的Si作为热源。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2018/11/23/20181123052504372094.htm 2018/11/23

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