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下一代功率半导体，日本有了新进展东京大学工业科学研究所(Institute of Industrial Science, University of Tokyo)开发了一种利用溅射法合成高质量氮化物半导体晶体的方法，并成功合成了新型电极晶体“AIGaN”。该公司宣布，通过与下一代功率半导体材料“氮化铝镓 (AlGaN)”接触，成功制作出低电阻的高性能 AlGaN 晶体管原型。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/07/11/20220711075857193230.htm 2022/7/9
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下一代功率半导体，日本有了新进展

东京大学工业科学研究所(Institute of Industrial Science, University of Tokyo)开发了一种利用溅射法合成高质量氮化物半导体晶体的方法，并成功合成了新型电极晶体“AIGaN”。该公司宣布，通过与下一代功率半导体材料“氮化铝镓 (AlGaN)”接触，成功制作出低电阻的高性能 AlGaN 晶体管原型。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/07/11/20220711075857193230.htm 2022/7/9

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