光通信应用中光接收组件PD ROSA的灵敏度由ROSA中PD光响应度和ROSA的噪声决定。ROSA噪声包含PD的噪声和TIA的噪声。对于25G PD ROSA，由于TIA的噪声电流在整个ROSA的灵敏度影响因素中占了绝对主导地位，PD的暗电流大小对ROSA灵敏度影响已经非常小。这就从理论上解释了目前暗电流比传统III-V族材料高2个数量级(1nA vs. 100nA)的Ge/Si PD ROSA的灵敏度和InGaAs材料的PD ROSA一样甚至更好。

在对高速硅光芯片研发持续大量投入的基础上, SiFotonics正式宣布成功开发新一代硅光波导型高灵敏度雪崩探测器 (APD) 芯片WA6001，该芯片成功实现了低暗电流 (10nA)，高响应度(0.6A/W，包含了波导耦合损耗)和3-dB带宽56GHz，高性能APD方案将助力400GbE数据中心和5G无线应用的加速到来。

Applied Optoelectronics公司8月3日宣布，为高速光接收机成功研发出每秒100G PIN 光电二极管(PD)阵列。高性能InGaAs PIN PD 是一款具有大调制宽带，高响应度和低暗电流的前照明光电二极管。该产品是一个4x25 G PD 阵列，专门设计用于数据中心100G收发器模块和FTTH应用的100G EPON收发器模块。