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3月20日~22日,2024上海慕尼黑光博会在上海新国际展览中心如期举办,GaAs/InP基化合物半导体外延片供应商-江苏华兴激光科技有限公司(以下简称:华兴激光)携系列产品参展,展位号:W3馆3744,欢迎业界朋友莅临展位观展交流。
在功率和光子学应用强劲扩张的推动下,到2029年,全球化合物半导体衬底和外延晶圆市场预计将达到58亿美元。随着MicroLED的发展,射频探索新的市场机会。
分子束外延(MBE)系统和蒸发源提供商Riber推出MBE 8000,用于批量生产外延
国家第三代半导体技术创新中心(苏州)科研人员经过三个多小时实验,采用与国内半导体设备厂家联合研发的首台国产MOCVD设备,首炉试生长成功产出了高质量GaN外延
华兴激光隆重展出了一系列磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)化合物半导体外延片产品,伴随着光通信、光电子器件应用朝高速率、高性能方向持续演进,公司在高速率、高端光电应用方面的光电子外延片产品上紧随市场需求,并实现了诸多技术创新突破。
中科光芯在光纤接入领域,激光器的市场份额在全球位列前茅,2021-2022年发货量连续两年超过5000万颗/年。光芯片外延到TO封装的IDM垂直整合能力,为产品向高端器件领域的拓展奠定了基础。
源杰科技基于近10年在InP设计和工艺开发IDM模式的积累,使用高速有源层外延技术,正式发布支持不同型号数据中心高速率光模块400G/800G/1.6T等所使用的多种InP激光器解决方案。
华兴激光将参展iFOC讯石研讨会(展位号:B02),展示高速光通信激光外延片、大功率激光外延片、硅光用大功率激光外延片、光探测外延片以及外延及工艺代工服务。
长瑞光电VCSEL研发副总向宇博士将发表《全国产VCSEL发展与挑战》行业报告,从芯片外延、晶圆制造、芯片测试等方面重点介绍国产VCSEL芯片在规模化生产与客制化服务上的最近进展。
2023年8月1日,九峰山实验室6寸碳化硅(SiC)中试线全面通线,首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。
华光光电拟科创板IPO上市,并公开发行新股不低于2088.22万股,不低于发行后总股本的25%。公司预计投入募资5.73亿元,用于半导体激光器外延、芯片及器件产业化工程项目。
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