上海微系统所科研团队在硅基磷化铟异质集成片上光源方面取得重要进展，基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量4英寸硅基InP单晶薄膜异质衬底（InPOS），在输出功率、工作温度和阈值电流密度等主要指标方面均为单片集成获得的硅基C波段FP腔激光器国际已报道的最优值。

Scintil采用Tower的大批量基础PH18M硅光子代工技术，包括低损耗波导、光电探测器和调制器，在晶圆背面单片集成DFB激光器和放大器。这一重要里程碑对于加强Scintil的供应链，满足数据中心、人工智能(AI)和5G网络对高性能通信解决方案日益增长的需求至关重要。

浙江大学戴道锌教授课题组采用新型2×2 FP腔电光调制器阵列与四通道多模波导光栅波分复用器，实现了单片集成的薄膜铌酸锂光发射芯片

把激光集成到芯片上的四种方法，即倒装芯片集成、微转印、晶圆键合和单片集成，硅上的直接III-V族外延，例如NRE技术，代表了激光集成的最高水平。

Coherent高意在OFC现场演示200G PAM4 MZ调制激光器技术，在一个PIC上单片集成DFB和MZ调制器，以实现1.6T收发器在10公里传输200G PAM4信号

POET发布一个基于chiplet发射平台的400G、800G和1.6T可插拔收发器和共封装光学(CPO)解决方案POET Infinity，实现单片集成100G PAM4 DML、DML驱动器和光复用器

在中外团队的通力配合下，凌越光电针对高速光通信应用的高端激光芯片25G EML(电吸收调制激光器)和DFB(分布式反馈激光器)产品研发进展顺利。特别是EML由于其单片集成EA(电吸收)调制器和DFB激光器，导致其设计和制造的复杂度非常高，尤其是高端的25G以上产品在市面上仍被进口品牌垄断。

9月14日，电子科技大学电子科学与工程学院教授毕磊将在IFOC 2021上发表主题为《硅基集成光隔离器与光环行器研究进展》的演讲，从科研角度介绍光隔离器和光环行器的近期研究进展。采用晶圆级溅射方法，突破了大晶格、大热失配下磁光薄膜的硅基集成问题，实现了国际首个硅基单片集成的宽带光隔离器研制，器件性能突破了现有集成光隔离器的记录，并实现了基于硅光流片线的器件集成。

浙江大学戴道锌教授团队提出和实现国际首个片上四路复用器，采用独特的多模波导光栅滤波器级联结构，相关结果发表于Photonics Research 2021年第5期。该成果与分立式元件组装的四路复用器相比，具有小尺寸和高性能等突出优势，为进一步实现单片集成收发芯片奠定关键器件基础，可显著降低收发模块复杂度及尺寸，并促进PON网络升级换代。

香港中文大学（深圳）理工学院张昭宇教授课题组在硅基光芯片领域取得重要研究进展，首次实现了可与微电子单片集成的硅基三五族微纳光子晶体激光器。相关成果发表在《Nature Communications》上。

1月4日讯石“创芯时代”邳州论坛暨年度总结大会，华兴激光总经理罗帅博士在其《半导体光电子外延材料国产化》报告中表示，独立的外延产业是加速光通信芯片、器件突破瓶颈的助推器。随着光通信器件逐步向高性能、低成本、集成化方向发展，国内外延材料技术也将从分立器件材料向单片集成及异质混合集成材料发展演进。在5G商用驱动下，未来光通信要实现更大增长，就应当充分推动产业链的合理分工，在彼此领域投入最大的资源和力量，才能推动产业研发持续升级，才能将中国光通信的“木桶短板”补齐。