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锡基近红外钙钛矿发
光二极管
外量子效率提升至11.6%
南京工业大学柔性电子(未来技术)学院研究团队在国际上首次将锡基近红外钙钛矿发
光二极管
外量子效率提升至11.6%。相关研究成果近日发表在国际学术期刊《自然·纳米技术》。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2024/01/22/20240122062609077424.htm
2024/1/22
防水且透明柔性有机发
光二极管
制成
由韩国科学技术院电气工程学院和国家纳米制造中心科学家领导的联合研究团队宣布,他们使用MXene纳米技术,成功开发出了一款防水且透明的柔性有机发
光二极管
(OLED),新材料即使暴露在水中也能发光和透光,有望应用于汽车、时尚和功能性服装等领域。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/07/31/20230731063814740517.htm
2023/7/31
安立MS9740B光谱分析仪增强大功率激
光二极管
测量功能
安立公司(Anritsu)发布MS9740B光谱分析仪的脉冲光测量选件(MS9740B-020),缩短脉冲LD芯片的测试时间,有助于提高大功率LD芯片的生产效率。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/07/25/20230725071305400593.htm
2023/7/25
Coherent高意推出面向硅光子收发器的1300 nm高功率DFB激光器
Coherent高意推出1300nm高功率连续波DFB激
光二极管
,专为基于硅光子技术的数据通信可插拔收发器设计
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/02/24/20230224030052723681.htm
2023/2/24
三菱电机开始提供光纤通信用“可调谐激
光二极管
芯片”样品
三菱电机宣布提供用于光纤通信系统光收发器的新产品——可调谐激
光二极管
芯片的样品。该新芯片将有助于增加数字相干通信的容量,并同时缩小光收发器的尺寸。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/10/11/20221011070707491086.htm
2022/10/11
我国科学家制备出 强发光方向性量子点材料
中国科学技术大学中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、樊逢佳教授等人与其他科研人员合作,在量子点合成过程中引入晶格应力,调控量子点的能级结构,获得了具有强发光方向性的量子点材料,此材料应用在量子点发
光二极管
(QLED)中有望大幅提升器件的发光效率。这一研究成果日前发表在《科学进展》杂志上。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/03/30/20220330011751985684.htm
2022/3/30
DenseLight宣布其低偏振度1310nm 波长超辐射发
光二极管
(SLED) 产品 已开始量产,并投向中国 FOG 市场
9月16日,实光半导体有限公司宣布已将其 1310nm 低 DOP(偏振度)超辐射发
光二极管
(SLED) 产品投向中国光纤陀螺仪市场。这些 SLED 产品均在 DenseLight 位于新加坡的晶圆制造工厂设计、生长和制造。实光半导体于9月16日至18日在CIOE 2021发布其新产品,展位号为 6B62,敬请关注。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/09/17/20210917015715200382.htm
2021/9/16
让世界爱上中国芯!敏芯半导体提供全系列优质光芯片
2021年9月1-3日,在第23届中国国际光电博览会上武汉敏芯半导体股份有限公司将展出1310nm高功率低偏振消光比超辐射发
光二极管
、1310nm半导体光放大器、1310nm大功率DFB激光器、10G 1550/1577nm EML、25G LWDM4/CWDM4 DFB等光通信芯片及材料。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/08/12/20210812082031731469.htm
2021/8/12
慕尼黑上海光博会|1550nm激光雷达光源供应商SemiNex携手富泰科技亮相
SemiNex 公司携手富泰科技推出多结半导体激
光二极管
,安全波长在1310 nm 到1550 nm 之间,每秒的光子数超过905nm LiDAR 系统的20 倍,检测范围是905nm的三倍,这一系列产品将推动自动驾驶汽车进入大众市场。二者将联合亮相慕尼黑上海光博会,展位号W4.4800,欢迎莅临交流。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/03/16/20210316004040225658.htm
2021/3/16
Excelitas Technologies推出增强型Gen2 905nm大批量生产的脉冲半导体激
光二极管
埃赛力达科技有限公司(ExcelitasTechnologies?Corp.)近期推出增强型Gen2905nm大批量生产的脉冲半导体激
光二极管
。第二代905nm脉冲激
光二极管
采用多层单片式芯片设计,具有更高效率(3W/A),可实现更远距离的测量并降低了功耗,同时改进了GaAs结构,可在30A的驱动下提供85W的脉冲峰值功率,与第一代产品相比激光功率增加了20%以上。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/12/01/20201201092134396352.htm
2020/12/1
II-VI高意宣布其6英寸GaAs平台已提供高功率半导体激光器的完整产品线
砷化镓(GaAs)光电技术领导者II-VI高意宣布其6英寸GaAs平台现已提供高功率半导体激光器的完整产品线。该公司声称其是世界上第一个在这种可扩展平台上生产可靠的大功率泵浦激
光二极管
和棒的公司。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/10/27/20201027022045152804.htm
2020/10/27
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