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据Yole Group报告,2026年全球半导体代工产业规模达4020亿美元。文章剖析三大常见误解:先进制程的定义混淆、开放代工与整体制造的区别、以及区域技术差距的简单化叙述。
台积电表示,晶圆测试、光纤阵列单元与高速光学封装组装三大环节的技术突破,将是决定CPO能否顺利规模化的关键。
2025-2026 年全球半导体资本支出大幅增长,台积电、三星、美光等扩产积极,IDM 整体下滑;马斯克 Terrafab 厂 2026 年投入 30 亿美元;支出占比回落,行业暂不存产能过剩。
美国推动芯片制造回流本土,从德州 GlobalWafers 晶圆加工,到台积电亚利桑那厂芯片制造,再到休斯敦富士康服务器组装,虽起步晚于亚洲,意在补齐供应链战略短板。
英伟达GTC 2026大会将于3月15日在圣何塞举行,首席执行官黄仁勋将揭晓"令世界惊讶"的全新芯片,外界普遍猜测为采用台积电A16(1.6nm)工艺的Feynman处理器,预计2028年启动生产。
台积电宣布升级其日本熊本第二工厂至3纳米制程,预计总投资高达200亿美元,旨在快速扩充产能以满足全球AI芯片强劲需求。此举将显著提升日本在先进半导体制造领域的地位,首批3纳米芯片预计2028年量产。
三星电子得州泰勒芯片工厂获临时运营批准,将于今年下半年量产,首要为特斯拉生产 AI5 芯片,后续推 AI6 芯片,目标 2 纳米芯片订单增长超 130%,台积电也拟扩建美国工厂参与竞逐该订单。
台积电计划在2026年投入创纪录的520亿至560亿美元资本支出以扩充产能,同比增幅最高可达37%。尽管如此,分析师普遍认为,未来数年其先进制程产能仍将落后于AI芯片的爆发式需求,这为英特尔、三星等竞争对手提供了市场机会。
格芯(GlobalFoundries)与台积电签署技术许可协议,获得650V和80V氮化镓技术授权。此举将加速格芯面向数据中心、工业和汽车客户的下一代GaN产品开发,并为其佛蒙特州伯灵顿工厂的量产铺平道路,计划于2026年启动生产。
定制ASIC设计公司Alchip与光学I/O技术公司Ayar Labs联合发布了一款集成光学I/O引擎的AI加速器参考设计平台。该设计基于台积电COUPE技术,将八个TeraPHY光学芯片与计算核心、HBM等集成,可实现单封装双向200-250 Tb/s带宽,较现有GPU提升超一个数量级,旨在解决大规模AI推理的互联与内存扩展挑战。
台积电宣布将在两年内逐步淘汰6英寸晶圆厂,其位于台湾的Fab 2将于2027年停产。这一战略调整旨在转向更大尺寸晶圆生产,提升先进制程竞争力。业内推测该厂房可能改造为先进封装基地,以配合300毫米晶圆先进制程需求。
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