2023年11月，九峰山实验室基于氮化镓(GaN)材料的太赫兹肖特基二极管(SBD)研制成功。经验证，该器件性能已达到国际前沿水平。

2023年8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅(SiC)中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。

6月7日，九峰山-华大九天联合实验室“神舟实验室”正式揭牌。

第五届中国硅光产业论坛(SiPC China 2023)在武汉光谷圆满举行，本届论坛汇聚国内外光电子行业达350余人，探索硅基光电子的技术研究现状、硅光子产品的商业化发展，以及未来光电子技术演变路径下硅基光电子的应用需求。来自NOIEC、中国信通院、中国联通研究院、九峰山实验室、三安集成、逍遥科技、阿里巴巴、中科创星、中科院微电子所、武汉光电国家研究中心、华工正源、仕佳光子、光迅科技、Newport、摩尔芯光、六幺四、鹏城实验室的技术、市场和投资专家先后发表行业报告。

作为国内领先的光通信及半导体测试设备提供商，武汉普赛斯携功率器件测试用脉冲源表、1000A高电流脉冲电源(多台并联至6000A)、3.5kV高压源测单元(可拓展至10KV)，以及100ns Lidar VCSEL wafer测试机亮相首届中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业发展大会。公司副总经理王承受邀带来了《 功率器件静态参数测试影响因素探究》主题分享。

4月20日，首届中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业大会开幕。干勇、尤政、郝跃、祝世宁、罗毅、封东来、Lars Samuelson等海内外院士、专家、企业嘉宾共1200余人参会，聚焦全球化合物半导体发展态势，探索未来合作发展方向。

在湖北省和武汉市政府支持下，由武汉东湖新技术开发区管理委员会、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、九峰山实验室、光谷集成电路创新平台联盟共同主办的“首届中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业发展大会”将于4月19-21日在武汉召开。

九峰山实验室工艺中心8寸中试线正式通线运行，首批晶圆(高精密光栅)成功下线。这也标志着实验室8寸0.15μm以上技术节点设备及工艺的全线打通，填补了国内高线密度、超高折射率、非周期性高精密光栅生产工艺空白。

湖北九峰山实验室与苏州熹联光芯微电子科技有限公司在苏州举行战略合作协议签约仪式，双方宣布将携手在硅光技术领域达成深度合作，建立长期战略合作关系。