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英特尔与台积电、三星洽谈将部分芯片生产外包英特尔正在与台积电和三星等洽谈，将部分芯片生产外包。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/01/11/20210111021944416544.htm 2021/1/11
台积电与三星3nm开发遇阻量产时间或将推迟据台媒报道，业内人士透露，目前台积电FinFET和三星GAA在3nm工艺的开发过程中都遇到了瓶颈。因此二者3nm制程工艺的开发进度都将放缓。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/01/04/20210104055721749077.htm 2021/1/4
三星携手英特尔推305Gbps 5G SA核心网路三星(Samsung)日前与英特尔(Intel)共同宣布在5G独立组网(SA)的技术突破。此技术达到5G SA核心网路每个伺服器305Gbps的资料处理能力，并降低商用行动网路的延迟。这个技术采用英特尔第二代Xeon Scalable处理器及乙太网控制器E810，该控制器具备强化的性能及动态装置个人化(Dynamic Device Personalization, DDP)功能。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/12/23/20201223015657526896.htm 2020/12/23
2020年第四季度全球前十大晶圆代工厂营收排名近日，拓墣产业研究院发布了全球前十大晶圆代工厂第三季度的营收排名预测，包括台积电、三星、联电、格芯、中芯国际、高塔半导体、力积电、世界先进、华虹半导体、东部高科。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/12/15/20201215033658752438.htm 2020/12/15
三星在得州芯片代工厂附近买地10万平米，想扩大业务 12 月 10 日，三星在其位于美国德克萨斯州奥斯汀的晶圆代工厂附近购买了面积为 104089 平方米的土地，大约 156 亩地，可能在为扩大代工业务做准备。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/12/11/20201211011829807705.htm 2020/12/11
三星在得州芯片代工厂附近买地 10 万平米，想扩大业务三星在其位于美国德克萨斯州奥斯汀的晶圆代工厂附近购买了面积为 104089 平方米的土地，大约156亩地，可能在为扩大代工业务做准备。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/12/10/20201210082441166865.htm 2020/12/10
台媒：台积电现已采购 35 台 EUV 光刻机，占 ASML 过半产量 EUV 光刻机制造商 ASML 首席执行官 Peter Wennink 带领高管拜访三星，双方寻求技术与投资合作。台积电目前已采购 35 台 EUV 设备，占 ASML 过半产量，2021 年底采购总量将超过 50 台。相较之下，三星 EUV 设备采购量目前不到 20 台。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/12/02/20201202031613256403.htm 2020/12/2
Mentor HDAP解决方案通过三星封装制程认证 Mentor近日宣布其高密度先进封装(HDAP)流程已经获得三星(Samsung)晶圆代工的多晶粒整合(MDI)封装制程认证。此次认证可协助共同客户在利用Mentor先进的IC封装解决方案进行设计的同时，亦能充分发挥三星MDI流程的优势。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/12/02/20201202024850292718.htm 2020/12/2
华为自研OLED驱动芯片已流片国产OLED有望突破垄断最近有两个消息值得关注，其中一个京东方的OLED屏幕再次被排除出苹果下一代iPhone的供应链名单，其次是拆解发现韩国配件在iPhone 12中显著提升，其中关键就是OLED成本占比较高。综合来看，目前国产OLED要想打破韩国三星和LG双雄的垄断，还很难。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/11/30/20201130031957937691.htm 2020/11/30
三星/SK电讯合作完成5G核心网路升级三星(Samsung)与SK电讯(SK Telecom)宣布，双方已共同建立并测试下一代5G核心网路。新一代的核心网路协助营运商快速安装及部署客制化的解决方案及服务。计划透过功能强化，来提升部署与启动新兴5G应用的效率。从AR/VR、云端游戏、自驾车到智慧工厂的应用，在提供新的沉浸式体验给消费市场的同时，瞄准企业用户的私有5G网路需求，进一步规画容易部署的方案。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/11/26/20201126073659796252.htm 2020/11/26
彭博：台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片据彭博报道，台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片，单月产能 5.5 万片起。据悉，台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管，而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同，三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/11/25/20201125011258428029.htm 2020/11/25
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英特尔与台积电、三星洽谈将部分芯片生产外包

英特尔正在与台积电和三星等洽谈，将部分芯片生产外包。

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台积电与三星3nm开发遇阻量产时间或将推迟

据台媒报道，业内人士透露，目前台积电FinFET和三星GAA在3nm工艺的开发过程中都遇到了瓶颈。因此二者3nm制程工艺的开发进度都将放缓。

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三星携手英特尔推305Gbps 5G SA核心网路

三星(Samsung)日前与英特尔(Intel)共同宣布在5G独立组网(SA)的技术突破。此技术达到5G SA核心网路每个伺服器305Gbps的资料处理能力，并降低商用行动网路的延迟。这个技术采用英特尔第二代Xeon Scalable处理器及乙太网控制器E810，该控制器具备强化的性能及动态装置个人化(Dynamic Device Personalization, DDP)功能。

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2020年第四季度全球前十大晶圆代工厂营收排名

近日，拓墣产业研究院发布了全球前十大晶圆代工厂第三季度的营收排名预测，包括台积电、三星、联电、格芯、中芯国际、高塔半导体、力积电、世界先进、华虹半导体、东部高科。

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三星在得州芯片代工厂附近买地10万平米，想扩大业务

12 月 10 日，三星在其位于美国德克萨斯州奥斯汀的晶圆代工厂附近购买了面积为 104089 平方米的土地，大约 156 亩地，可能在为扩大代工业务做准备。

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三星在得州芯片代工厂附近买地 10 万平米，想扩大业务

三星在其位于美国德克萨斯州奥斯汀的晶圆代工厂附近购买了面积为 104089 平方米的土地，大约156亩地，可能在为扩大代工业务做准备。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/12/10/20201210082441166865.htm 2020/12/10

台媒：台积电现已采购 35 台 EUV 光刻机，占 ASML 过半产量

EUV 光刻机制造商 ASML 首席执行官 Peter Wennink 带领高管拜访三星，双方寻求技术与投资合作。台积电目前已采购 35 台 EUV 设备，占 ASML 过半产量，2021 年底采购总量将超过 50 台。相较之下，三星 EUV 设备采购量目前不到 20 台。

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Mentor HDAP解决方案通过三星封装制程认证

Mentor近日宣布其高密度先进封装(HDAP)流程已经获得三星(Samsung)晶圆代工的多晶粒整合(MDI)封装制程认证。此次认证可协助共同客户在利用Mentor先进的IC封装解决方案进行设计的同时，亦能充分发挥三星MDI流程的优势。

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华为自研OLED驱动芯片已流片国产OLED有望突破垄断

最近有两个消息值得关注，其中一个京东方的OLED屏幕再次被排除出苹果下一代iPhone的供应链名单，其次是拆解发现韩国配件在iPhone 12中显著提升，其中关键就是OLED成本占比较高。综合来看，目前国产OLED要想打破韩国三星和LG双雄的垄断，还很难。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/11/30/20201130031957937691.htm 2020/11/30

三星/SK电讯合作完成5G核心网路升级

三星(Samsung)与SK电讯(SK Telecom)宣布，双方已共同建立并测试下一代5G核心网路。新一代的核心网路协助营运商快速安装及部署客制化的解决方案及服务。计划透过功能强化，来提升部署与启动新兴5G应用的效率。从AR/VR、云端游戏、自驾车到智慧工厂的应用，在提供新的沉浸式体验给消费市场的同时，瞄准企业用户的私有5G网路需求，进一步规画容易部署的方案。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/11/26/20201126073659796252.htm 2020/11/26

彭博：台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片

据彭博报道，台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片，单月产能 5.5 万片起。据悉，台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管，而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同，三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/11/25/20201125011258428029.htm 2020/11/25

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