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华为哈勃投资碳化硅公司天域半导体
东莞市天域半导体科技有限公司发生工商变更,新增股东华为关联公司深圳哈勃科技投资合伙企业 (有限合伙),同时公司注册资本由约 9027 万元人民币增至约 9770 万元人民币,增幅超 8%。东莞市天域半导体是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅 (SiC)
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研发、生产和销售的高新技术企业。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/07/05/20210705085423397944.htm
2021/7/5
中科光芯入选第四批泉州市引进高层次人才团队
近日,泉州市科技局公布了第四批引进高层次人才团队项目立项结果,中科光芯团队“InP半导体光电子研究团队”的项目“25Gbps及以上光芯片用InP/InGaAsP-InAIGaAs
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研发和产业化”成为确定立项的项目之一。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/11/27/20201127020307039620.htm
2020/11/27
专访华兴激光CEO罗帅博士:扩大外延产能迎接5G需求 用快捷服务获得客户认可
作为激光器和探测器芯片关键材料,GaAs/InP基光电子
外延片
同样供不应求,这却给国产外延材料提供一次证明市场价值的绝佳机遇,其中国产光电子外延材料的优秀代表——江苏华兴激光科技有限公司(简称华兴激光)通过持续的研发投入,积极配合客户优化工艺及验证,扩大外延产能并保障产品交付,在5G通讯市场上帮助客户实现市场价值,并获得众多客户的认可。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/11/08/20201108063037659706.htm
2020/11/8
CIOE 2020 | 华兴激光:充沛产能面向光通信应用 具备多种光芯片材料外延能力
CIOE2020期间,化合物半导体光电子外延材料供应商华兴激光隆重展出国产
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产品,包括2/3/4英寸InP基激光
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、2/3/4英寸InP基探测
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、2/3/4/6英寸GaAs基高功率激光
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等,国产光芯片外延材料的发展获得现场客户的高度关注。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/09/12/20200912024532233229.htm
2020/9/12
CIOE2020 | 中科光芯最新产品亮相 8号馆8C23
9月9-11日,福建中科光芯光电科技有限公司将展出
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、25G CHIP、TO-CAN、TOSA器件、ROSA器件、光模块、High Power DFB Butterfly、Micro Integratable Tunable Laser等相关产品。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/09/09/20200909143502452739.htm
2020/9/9
CIOE 2019 | 华兴激光:高端的GaAs/InP基光电子
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9月4-7日,第21届中国国际光电博览会在深圳会展中心圆满举办。江苏华兴激光科技有限公司隆重展出了高速激光芯片、电池芯片、射频芯片等高端
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产品,获得光通信、光传感、激光多领域专业及客户高度关注。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2019/09/13/20190913074059362036.htm
2019/9/13
华兴激光:专注光电外延材料 助力产业瓶颈突破
江苏华兴激光科技有限公司(简称华兴激光) 作为国内首家专业从事化合物半导体光电
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研发、生产与加工服务的国家高新技术企业,致力于先进化合物半导体外延技术的商用化和国产化。近期,讯石走访了华兴激光,并与企业进行了深入交流。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2019/06/21/20190621054437812762.htm
2019/6/21
人才招聘|华兴激光诚聘销售精英,好位等你来!
江苏华兴激光科技有限公司,位于江苏省徐州市邳州市,是一家专业从事化合物半导体
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研发、制造与代工的高新技术企业,主要产品为基于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生产以磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)为基底的不同结构和功能的半导体光电
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,广泛应用于光通信、光传感、激光医疗、激光加工等领域。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2019/02/25/20190225020033743319.htm
2019/2/25
VSCEL光芯片能否国产化 关键在这两大核心工艺
对于VSCEL这种高精密光芯片来说,在
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的量产过程中,如何确保激射时所需的波长,并获得高反射率的DBR也是国产厂商亟待突破的另一大瓶颈。据记者了解,作为外延工艺中的关键组成部分,激射过程主要是为了在有源区部分将电子空穴对转化为光子,然后将其在谐振腔中不断放大,最后在DBR反射率较低的一面激射出激光,而个中关键在于谐振腔中将电子空穴对转化为光子的有源区,这与VCSEL晶片量子阱的材料组分和构成有很大关系。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2018/12/05/20181205023919776153.htm
2018/12/5
2017西安国际光电子集成技术论坛:现场举行集中签约仪式
在2017西安国际光电子集成技术论坛上,由陕西省光电子集成先导技术研究院引进的“InP(磷化铟)激光器芯片项目、全谱红外项目、GaAs(砷化镓)激光
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项目、GaN(氮化镓)高端衬底项目及大功率激光项目”五个光电子项目落户西安,并进行了现场签约仪式。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2017/11/08/20171108105930355400.htm
2017/11/8
新海宜控股子公司收到政府补贴1430万
新海宜控股子公司苏州新纳晶光电有限公司于2013年12月24日收到《苏州工业园区科技局、财政局关于下达苏州工业园区2013年度科技发展资金的通知》,对新纳晶承担的“高亮度氮化镓基半导体照明
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、芯片的研发及产业化”科技项目给予1430.70万元的资助。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2013/12/26/20131226034221320000.htm
2013/12/26
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