市场关注台积电先进制程何处建厂？中国台湾“国科会”主委吴政忠表示，持续布局三大科学园区，可满足台积电建厂，“2nm预计处理完毕，现在剩下1.4nm”。

中国台湾《联合报》称：经多方评比后，台积电最终决定将最先进的 1nm 制程代工厂选址定在嘉义科学园区，总投资额超万亿新台币（当前约 2290 亿元人民币）。台积电表示，选择设厂地点有诸多考量因素，台积电以中国台湾地区作为主要基地，不排除任何可能性，也持续与管理局合作评估合适的半导体建厂用地。

2024年1月18日，台积电于官网公布2023年第四季度财报。 从发布的财报来看，可以明显的发现四季度的各指标较上一季度均有明显的增长；但对比去年同期，均有明显的下跌；此外，先进制程（包含7nm及以下）的营收达到全季度晶圆销售金额的67% 。

台积电日前在2023年IEEE国际电子元件会议上，发布进军至1nm制程的产品规划蓝图。

在芯片受限于制程工艺、晶体管密度提高放缓的情况下，通过芯粒的设计将多个die封装在同一基板上成为了突破单芯片性能的一条重要路线。而这条路线的关键在于片上互连技术的发展，片上光互连技术也为未来的chiplet设计路线提供了更多的可能。

台积电在IEEE国际电子器件会议（IEDM）的“逻辑的未来”小组上透露，台积电1.4nm级制造技术的开发进展顺利进行。台积电强调，使用其2nm级制造工艺的量产有望在2025年实现。

新参考流程采用台积电 N4PRF 制程，提供了开放、高效的射频设计解决方案 强大的电磁仿真工具可提升 WiFi-7 系统的性能和功率效率 综合流程可提高设计效率，实现更准确的仿真，从而更快将产品推向市场

据报道，台积电已经组建一支约200人的研发团队，专注于推进硅光子技术和应用。据称，台积电还在与博通和英伟达等大客户进行谈判，共同开发以该技术为中心的应用。相关制程技术覆盖45nm至7nm，预计相关产品最早于2024年下半年获得订单，2025年将进入大批量生产阶段。

英伟达已经跟三星就 3nm GAA 工艺制程进行了接洽，如果一切顺利则预定在 2025 年进行量产。

博众半导体设备具有高精度、高速度、高稳定性的特点可为800G/1.6T光模块、功率半导体、激光雷达等多个领域提供封装整线解决方案。公司将推动半导体先进制程发展和产业升级，不断为行业提供尖端产品，以满足不断演进的市场需求。

9月6-8日在中国深圳举办的CIOE 2023上，索尔思光电(Source Photonics)作为“国际光电委员会（IPEC）”创始成员，在IPEC展台与其他会员单位共同演示了800G光模块的互联互通测试，并顺利通过测试所要求的各项性能指标。参与此次测试的800G 2xFR4 QSFP-DD模块采用索尔思自主研发的53GBaud EML高速激光器，搭配业界最先进5nm制程的800G DSP芯片，并支持丰富多样的光纤连接器接口。索尔思光电800G产品家族包括支持不同传输距离的SR8/DR8/2xFR4 OSPF/QSFP-DD系列光模块，以及相对应的线性直驱LPO光模块。采用索尔思光电自研106GBaud高速EML的800G FR4/LR4 OSFP/QSFP-DD光模块也即将亮相，每通道速率将达到200G。