历经五十多年发展，III-V族材料以其成熟优秀的发光效应帮助光电子器件在光纤通信、光显示、激光以及微波射频等领域的大规模部署起到了关键作用，III-V族材料经过外延生长和后道工序制作成芯片，其性能和稳定性会直接影响光器件的使用寿命。因此，芯片测试成为一道关键工序，针对III-V族器件芯片的测试也发展出了相对应的半导体设备。作为一家专注于传统半导体以及三五族器件领域的顶尖测试设备代理供应商，苏州中澜凌电子科技有限公司对III-V族器件测试有着深厚的工艺经验。

美国加利福尼亚州桑尼维尔, Nov. 27, 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- 先进III-V族技术平台的化合物半导体代工厂，三安集成电路有限公司（以下简称“三安集成）今日宣布，公司的制造管理体系再获数项认证。公司获得IATF16949:2016汽车质量管理体系（QMS）认证、ISO27001:2013信息安全管理标准符合性认证、ISO9001:2015质量管理保证体系、IECQ QC080000:2012有害物质流程管理（HSPM）、ISO140001:2015环境管理体系（EMS）和OHSAS 18001:2007职业健康安全管理体系。

近日，美国工程院院士、加州大学圣芭芭拉分校John Bowers教授带领的光电研究团队研发出可直接调制的硅上量子点微型激光器。该激光器通过外延生长，集成在与CMOS工艺兼容的硅晶圆上。利用量子点特有的衬底缺陷影响、侧壁非辐射复合影响被减小的优异性能，并通过缓冲层的优化以减少III-V族材料与硅晶圆界面的位错密度，该课题组在存在着反向畴、晶格失配和热膨胀系数不同等巨大差异的异质生长材料体系上实现了优异的激光器性能：1.3 μm通讯波段的单模激射、同时兼具103 K特征温度的高温工作环境稳定性及3 mA的低阈值电流、6.5 GHz的3 dB带宽。

武汉光电国家实验室(筹)光电子器件与集成功能实验室提出并实验验证了一种新型的大范围可调谐激光器—多通道干涉激光器。新型可调谐激光器和现有的商用可调谐激光器相比，具有成本低、制作容差大以及性能好的优点，并且该器件是完全在华中科技大学的校内工艺平台制作出来的，这标志着华科从此具有独立研制高端III-V族半导体光芯片的能力。

近日，SiFotonics宣布公司首款应用于10Gbps光通信系统的硅基纯锗探测器PD1503进入大规模量产阶段，该产品在性能上完全达到了传统III-V族材料（如GaAs、InGaAs）光探测器的水平。