加入收藏设为首页联系我们广告服务关于本站
兰州大学团队在在薄膜铌酸锂晶圆的表面沉积一层氮化硅薄膜,通过成熟的CMOS兼容工艺刻蚀氮化硅层可以得到氮化硅-铌酸锂异质脊型波导,解决了直接刻蚀铌酸锂薄膜带来的波导侧壁角度等问题,并基于该波导实现了高性能的模式和偏振复用器件。
当前第1页 共1页 共1条  跳转页码: 首页 上一页 下一页 末页