【北美】飞思卡尔利用硅技术开发3.5GHz频带WiMAX基站功率放大器

美国飞思卡尔半导体公司已开发出使用3.5GHz频带、面向WiMAX基站的功率放大器。该产品是利用半导体工艺技术以及该公司作为封装技术的第7代高电压（YV7）RF LDMOS（laterally diffused metal oxide semiconductor，横向扩散金属氧化半导体）技术实现的。基于LDMOS晶体管的WiMAX基站用功率放大器在业界尚属首例。该公司还针对极有可能为移动WiMAX（IEEE802.16e）等分配2.5GHz频带的日本，正在开发采用LDMOS晶体管的芯片组，据称将在2006年早些时候供应样品。

该公司此次开发的是预计将用于固定通信WiMAX（IEEE802.16-2004）和欧洲移动WiMAX等的3.5GHz频带（3.3GHz～3.8GHz）RF功率晶体管“MRF7S38075H”。平均输出为42dBm（16W），作为线性极限点标准的“P1dB（1dB compression point）”为70W。将与相同频率、P1dB为40W和10W的产品同时于2006年第1季度开始供货。

飞思卡尔的LDMOS晶体管在采用2GHz频带无线频率的第3代移动电话（3G）基站中已经得到广泛应用。但在WiMAX方面过去则一直使用采用GaAs的PHEMT（pseudomorphic HEMT）型晶体管。原因是采用比3G更高的无线频率以及在传输方式中采用OFDM的WiMAX要求功率放大器要具有很高的线性及分辨率等特性。“过去的LDMOS达不到这些要求”（飞思卡尔）。此次该公司将LDMOS工艺由第6代提高到了第7代，从而就能在3.8GHz频带的WiMAX中使用。

该公司针对日本市场已经利用LDMOS技术开发出支持2.5GHz频带的功率放大器。据称将于2006年上半年供应平均功率为35W、20W、7W及3W的各种产品样品。（来源：技术在线 记者：野野 哲生）