车载应用SiC市场加速扩大 中国已具备完善产业链

  ICC讯 近日，在第12届中国硬科技产业链创新趋势峰会上，清纯半导体有限公司市场经理詹旭标发表《车载电驱&供电电源用SiC技术 最新发展趋势》报告，SiC（碳化硅）被公认是提升新能源汽车续航里程的最佳方案，伴随着新能源汽车销售急剧增长，SiC正在迎来非常巨大的应用市场，并给予了国产化SiC崛起的机会窗口。

  2023年中国新能源汽车销售达到950万辆，市场占用有率达到31.6%，预计2024年新能源产销量将达1200-1300万辆，市占率超过45%并占全世界产销售60%。在这个市场发展过程中，SiC上车速度加快，打造国产SiC车型合计142款，而750V 及 1200V SiC MOSFETs 是主驱应用的主流器件，而器件性能、质量、价格产能成为了主驱大规模应用必要条件。

  SiC为何称为提升新能源汽车续航里程的最佳方案？这得益于SiC MOSFET 低导通电阻、低开关损耗的特点，新能源汽车电机控制器有望实现70%的损耗下降，进而增加约5%行驶里程。此外，充电问题是影响消费者购买新能源车的首要因素，而SiC材料可以使得单枪的充电功率向350kW以上发展，通过高压快充解决消费者的补能焦虑。

  根据相关市场预测，2025年全球SiC市场规模接近60亿美元，年复合增长率预计为 36.7%。目前该市场主要被国外企业垄断，top厂商份额合计91.9%。中国SiC产能规划（衬底）预计到2026年达到468万片/年，可满足3000万辆新能源车的需求。詹旭标表示，中国已经形成完善的 SiC产业链，各细分行业均涌现出典型代表，快速缩小与跨国龙头企业的差距。在技术距离上，国际SiCMOSFET技术发展维持3-5年的迭代周期，中国SiC MOSFET器件最新技术目前已经对标国际主流水平，并保持1年1代的节奏快速迭代。

  作为国产SiC代表厂商之一，清纯半导体推出第二代1200V SiC MOSFET器件，核心参数全面对标国际一流水平，包括超低导通电阻芯片、优秀的串扰抑制能力、栅极串扰电压、动态损耗等方面媲美国外同类产品。目前已经通过AEC-Q101车规级可靠性试验认证。清纯半导体采用行业最全面可靠性测试方法、最严苛可靠性要求，实现新能源汽车及工业应用400万颗MOSFET零失效的成就。

  SiC半导体技术将围绕材料、器件和工艺三个方面迭代发展，包括大尺寸低缺陷SiC衬底及外延制备，基于先进SiC材料生长和工艺技术的新型SiC器件以及面向下一代SiC器件的制造及封装工艺。在产业趋势上，在完成SiC 半导体技术创新及市场教育后，国际竞争焦点逐步从技术研发转移到大规模量产，而依托巨大的应用市场和高效产能提升，中国有望主导全球SiC半导体产业。