CIOE 2019 | 华兴激光：高端的GaAs/InP基光电子外延片供应商

  ICCSZ讯 9月4-7日，第21届中国国际光电博览会在深圳会展中心圆满举办。江苏华兴激光科技有限公司隆重展出了高速激光芯片、电池芯片、射频芯片等高端外延片产品，获得光通信、光传感、激光多领域专业及客户高度关注。

  本次光博会展品有10G/25G通讯高速半导体激光器/探测器外延片、传感及大功率半导体激光器及探测器外延片(FP/DFB/VCSEL/APD)以及半导体光电材料的定制化外延/微纳加工服务。

  据了解，通讯高速半导体激光器/探测器外延片应用于光通信宽带网络基础设施建设，提供面向光纤到户、数据中心、移动基站等应用场景的关键光电芯片材料，速率达到10G和25G。

  传感及大功率半导体激光器及探测器外延片可应用于气体探测、激光测距、激光雷达、激光医疗等领域，产品包括(FP/DFB/VCSEL/APD)。

  同时，定制化外延/微纳加工服务可为企业、高校和科研院所提供定制化外延和微纳加工定制服务。

  据讯石了解，华兴激光的定位就是专业的InP和GaAs基外延片成品和加工服务提供商，公司主要基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备以GaAs和InP为基底的不同结构和功能的半导体激光及探测外延片，这些外延片再经产业链工艺与封装企业制备成各种光电子芯片/器件，广泛应用于光纤通信、激光传感等工业领域及智能手机、AR/VR等消费电子领域。

  此外，公司的电子束曝光(EBL)技术和全息曝光技术不仅辅助进行光电子外延片的光栅制作，也独立提供微纳结构加工服务。