铌奥光电最新薄膜铌酸锂(TFLN)超高带宽强度调制器(67/110 GHz)正式上市

  ICC讯 近日，高端光电子芯片提供商铌奥光电（Liobate）宣布，其薄膜铌酸锂(TFLN)超高带宽强度调制器(67/110 GHz)正式发布上市，该产品由铌奥光电自主研发并拥有完整知识产权，通过高精度耦合工艺技术封装而成，实现了最高达110GHz电光调制带宽。

  相比于传统铌酸锂晶体调制器，铌奥光电最新薄膜铌酸锂调制器产品具有低半波电压、高稳定性、小器件尺寸和热光偏置控制的特性，能广泛应用于数字光通信、微波光子、骨干通信网络及通信类科研项目等领域。

图1 器件实物图(67/110 GHz)

  · 射频带宽最高可达110 GHz

  · 半波电压低至3.0 V

  · 插入损耗低至4.5 dB

  · 小器件尺寸(mm)L*W*H=45*10*7

图2 S21测试样图 (70 GHz 典型值)

图3 S21测试样图 (110 GHz 典型值)

  根据光通信调研机构LightCounting统计，2023年光模块激光器和PIC市场收入约为24亿美元，其中薄膜铌酸锂（TFLN）调制器、传统体铌酸锂（LiNbo3）调制器和其他类型的PIC份额合计占比5%。预计到2029年，DWDM光模块应用LiNbo3调制器PIC份额将持续下降至微不足道，而薄膜铌酸锂（TFLN）调制器PIC销售收入将增长到7.5亿美元。

  关于铌奥

  江苏铌奥光电科技有限公司成立于2020年7月，是一家专注于薄膜铌酸锂调制器芯片及相关光互连器件的设计、研发和销售的高科技企业。

  公司创始团队包含多名光电子领域的科学家和业界知名企业高管，核心团队在薄膜铌酸锂领域进行了长期的研究并取得重大技术突破，取得多项具有里程碑意义的研究成果，并成功开发了多款基于薄膜铌酸锂的高速光通信芯片及器件、专用电光调制器器件，产品可广泛应用于数据中心、通信网络、仪器仪表及自动驾驶领域。

  公司构建了基于薄膜铌酸锂材料的新一代光子芯片设计、制造和器件封装平台，具备大规模量产及交付能力，致力于为客户提供优异的产品与服务。

  咨询联系：唐经理 Sales@liobate.com