ICC讯 武汉光安伦光电技术有限公司2023年8月31日正式发布多款高速集成光芯片
包含:
单SOA:性能达到国际一流水平,助力数据中心以及长距离光传输应用;
25G 1358nm EML+SOA:助力下一代25G PON OLT应用;
50G 1342nm EML+SOA:助力下一代50G PON OLT应用;
50G 1286/1300nm DML:助力下一代50G PON ONU应用;
100G O波EML+SOA:助力400/800G数据中心应用。
相关产品展示
为应对市场对高速、高带宽光通信芯片的需求,结合自身发展要求,光安伦依托自身强大研发能力,打破多处工艺和技术壁垒,多项核心技术和产品处于行业领先地位,一部分产品和技术处于国内绝对领先。光安伦始终如一不断提升光芯片研发技术水平,快速迭代,打造高水平工艺平台制造能力,致力于为客户提供强竞争力的高速光通信芯片,持续为客户创造价值。
关于光安伦
武汉光安伦光电技术有限公司成立于2015年,总投资额3亿元,是国内领先的从外延生长、芯片设计、芯片制造、工艺开发以及芯片封测全流程厂家,产品主要应用于光纤通讯、数据中心及光纤传感等领域。
公司长期与国内外大学和科研院所等机构展开技术合作,立足于25G及以下速率的DFB、APD、EML等光芯片的稳定供应,跟踪高速光芯片的技术前沿,在高速光芯片领域拥有多项发明专利,目前多波段SOA芯片、单路25G/50G DML、25G/50G EML+SOA、数据中心单波100G EML芯片等已经研发成功,正在向更高速率、更加复杂集成化芯片等领域进军。
新闻来源:光安伦